[发明专利]一种基于Mo2CTx改性的自支撑正渗透膜的制备方法

权利要求书

1.一种基于Mo2CTx改性的自支撑正渗透膜的制备方法，该方法是以PES为原料，DMAc为溶剂，PVP为添加剂，Mo2CTx为改性剂；先将质量比为80：0.8~1的DMAc和Mo2CTx依次加入反应器中，超声分散成均匀的分散液，再将质量比为15：4~4.2的PES和PVP加入分散液中加热搅拌使其充分溶解；然后将溶液静置脱泡得到铸膜液；接着采用溶液浇铸法将铸膜液涂覆在硅片上并在烘箱中于60~70℃热处理8~12 h，控制铸膜液体积，使膜厚度在3~10μm；最后将硅片浸入水中，将膜从硅片上剥离下来，即得到Mo2CTx改性的自支撑正渗透膜。

2.根据权利要求1所述的基于Mo2CTx改性的自支撑正渗透膜的制备方法，其特征在于，PES和PVP加入分散液后，在60~70℃下搅拌4~6 h使其充分溶解。

3.根据权利要求1所述的基于Mo2CTx改性的自支撑正渗透膜的制备方法，其特征在于，静置脱泡时间为18~24h。

4.根据权利要求1所述的基于Mo2CTx改性的自支撑正渗透膜的制备方法，其特征在于，溶液浇铸法中，将一块边长为30 cm的正方形平整玻璃板放于烘箱中，并通过水平仪调整玻璃板在烘箱中处于水平状态，然后将光滑平整的硅片放到玻璃板上。