[发明专利]摄像元件及摄像装置有效
| 申请号: | 202010656402.2 | 申请日: | 2016-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN111818282B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
| 发明(设计)人: | 釜下敦;驹井敦;高木彻;石田知久 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
| 主分类号: | H04N25/63 | 分类号: | H04N25/63;H04N25/709;H04N25/79;H04N25/76;H01L27/146;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 元件 装置 | ||
1.一种摄像元件,其特征在于,具备:
设有沿行方向配置的第一像素和第二像素的第一半导体层,所述第一像素和第二像素分别具有对光进行光电转换而生成电荷的光电转换部、和传输通过所述光电转换部生成的电荷的传输部;以及
设有向所述第一像素的所述传输部供给电压的第一供给部、以及向所述第二像素的所述传输部供给电压的第二供给部的第二半导体层。
2.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,
所述第二半导体层具有薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的摄像元件,其特征在于,
具备第三半导体层,向该第三半导体层输出基于利用所述光电转换部生成的电荷的信号。
4.根据权利要求3所述的摄像元件,其特征在于,
所述第一半导体层以及所述第三半导体层由半导体衬底构成。
5.根据权利要求4所述的摄像元件,其特征在于,
所述第二半导体层设在所述第一半导体层与所述第三半导体层之间。
6.根据权利要求5所述的摄像元件,其特征在于,
所述第二半导体层设于在所述第一半导体层与所述第三半导体层之间设置的绝缘部。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
所述第一像素的传输部当从所述第一供给部供给来第一电压的信号时传输电荷,当从所述第一供给部供给来第二电压的信号时不传输电荷,
所述第二像素的传输部当从所述第二供给部供给来第一电压的信号时传输电荷,当从所述第二供给部供给来第二电压的信号时不传输电荷。
8.根据权利要求7所述的摄像元件,其特征在于,
所述第二半导体层具有被供给所述第一电压的第一电压源和、被供给所述第二电压的第二电压源。
9.根据权利要求8所述的摄像元件,其特征在于,
所述第一电压源供给接地电压以上的电压,
所述第二电压源供给少于接地电压的电压。
10.根据权利要求9所述的摄像元件,其特征在于,
所述第一供给部和所述第二供给部沿所述行方向配置。
11.根据权利要求10所述的摄像元件,其特征在于,
所述第一供给部将用于传输在第一期间由所述第一像素的所述光电转换部生成的电荷的信号供给至所述第一像素的所述传输部,所述第二供给部将用于传输在长度与所述第一期间不同的第二期间由所述第二像素的所述光电转换部生成的电荷的信号供给至所述第二像素的所述传输部。
12.根据权利要求10所述的摄像元件,其特征在于,
所述第一供给部和所述第二供给部将用于传输所述光电转换部生成的电荷的信号供给至所述传输部的定时不同。
13.根据权利要求1~6中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
所述第一供给部和所述第二供给部具有被施加接地电压以上的电压的第一扩散部、和被施加少于接地电压的电压的第二扩散部,将基于被施加至所述第一扩散部的电压的第一电压供给至所述传输部,将基于被施加至所述第二扩散部的电压的第二电压供给至所述传输部。
14.根据权利要求13所述的摄像元件,其特征在于,
所述第一供给部和所述第二供给部具有电平转换电路,该电平转换电路将基于作为接地电压以上的第三电压、和作为接地电压以上且为所述第三电压以上的第四电压的驱动信号转换成所述第一电压的信号或者所述第二电压的信号。
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