[发明专利]偏置电路有效

专利信息
申请号: 202010656170.0 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN112214061B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 曾我高志 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘慧群
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 偏置 电路
【权利要求书】:

1.一种偏置电路,向对输入信号进行放大的放大晶体管供给偏置电流或偏置电压,所述偏置电路具备:

第1晶体管至第4晶体管,分别具有第1端子至第3端子;和

相位补偿电路,将信号的相位提前,

在所述第1晶体管中,基准电流或基准电压被供给到第1端子,第1端子和第2端子互相连接,

在所述第2晶体管中,第1端子与所述第1晶体管的第3端子连接,第3端子连接于接地,

在所述第3晶体管中,电源电压被供给到第1端子,第2端子与所述第1晶体管的第1端子连接,从第3端子向所述放大晶体管供给所述偏置电流或偏置电压,

在所述第4晶体管中,第1端子与所述第3晶体管的第3端子连接,第2端子与所述第2晶体管的第2端子连接,第3端子连接于接地,

所述相位补偿电路分别设置在从所述第4晶体管的第1端子经由所述第2晶体管以及所述第1晶体管到达所述第3晶体管的第2端子的路径上。

2.根据权利要求1所述的偏置电路,其中,

还具备:低通滤波器电路,设置在从所述第4晶体管的第1端子经由所述第2晶体管以及所述第1晶体管到达所述第3晶体管的第2端子的路径上,并具有使所述输入信号的基波的频率分量衰减的频率特性。

3.根据权利要求2所述的偏置电路,其中,

所述低通滤波器电路包括:

第1电阻元件,连接在所述第4晶体管的第1端子与第2端子之间;和

第1电容器,连接在所述第2晶体管的第1端子与第2端子之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的偏置电路,其中,

所述相位补偿电路是高通滤波器电路。

5.根据权利要求4所述的偏置电路,其中,

所述高通滤波器电路包括:第2电容器和第2电阻元件,在所述第2晶体管的第1端子与第2端子之间互相串联连接。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的偏置电路,其中,

所述第1晶体管至第4晶体管是异质结双极晶体管。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的偏置电路,其中,

所述第1晶体管和第3晶体管是FET,所述第2晶体管和第4晶体管是异质结双极晶体管。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的偏置电路,其中,

所述相位补偿电路设置在所述第2晶体管的基极与集电极之间。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的偏置电路,其中,

所述相位补偿电路设置在所述第1晶体管的基极与所述第3晶体管的基极之间。

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