[发明专利]输送装置在审

专利信息
申请号: 202010655930.6 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN112242334A 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 洪培伦;许家玮;廖家祥;陈明鸿 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677;H01L21/67
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂慧荃;闫华
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 输送 装置
【说明书】:

本公开提供一种输送装置,用于输送一基材,输送装置包括一基板、至少一吸引单元以及多个移动限制单元。上述至少一吸引单元设置在基板的一侧,以在基材上产生吸力。上述多个移动限制单元设置在基板的上述侧,以限制基材在输送期间的移动。移动限制单元的每一个包括一主体、一抵接件以及一推动元件。主体附接至基板,且主体中具有一腔室。抵接件可动地收容在腔室中,且具有一抵接部,抵接部突出于主体以抵接基材。推动元件收容在腔室中,且配置以推动抵接件朝向基材移动。

技术领域

本公开实施例涉及一种输送装置,尤其涉及一种用于输送基材的输送装置。

背景技术

集成电路(integrated circuits,ICs)被制造在半导体晶片上,每个晶片通常包含成千上百个个别的集成电路,视晶片的尺寸及个别集成电路的尺寸而定。在多个集成电路之间具有称为“切割槽(cutting grooves)”或“切割道(scribe lines)”的空间,以将晶片上的个别集成电路分离。在称为“切割”或“分割(dicing)”的工艺中,晶片被沿着切割槽切割以形成分离的集成电路,称为“裸片(dies)”。

单粒化晶片的一种方式为利用一种称作“先分割后研磨(dicing-before-grinding,DBG)”的工艺,通常是用于直径200毫米或更大的晶片。根据先分割后研磨(DBG)工艺,半导体晶片沿着切割道切割至一预定深度,而非超过晶片的整个厚度,以在晶片的有源(active)表面(上面包含电路图案)上沿着切割道形成沟槽。然后,研磨晶片的背表面以使晶片的厚度不超过沟槽的深度,例如:约50微米(μm),由此将晶片分成个别的集成电路或裸片。通过这种方法,减少了损害晶片的风险,且可稳定地生产超薄(ultra-thin)裸片。

虽然现有的切割设备及方法已能满足所欲达成的目的,但在各方面来说,仍未全然地令人满意。

发明内容

本公开实施例的目的在于提供一种输送装置,以解决上述至少一个问题。

本公开实施例提供一种用于输送一基材的输送装置,包括一基板、至少一吸引单元以及多个移动限制单元。上述至少一吸引单元设置在基板的一侧并面向基材,配置以在基材上产生吸力。上述多个移动限制单元设置在基板的上述侧,配置以限制基材在输送期间的移动,其中移动限制单元的每一个包括一主体、一抵接件以及一推动元件。上述主体附接至基板,其中主体中具有一腔室。抵接件可动地收容在腔室中,且具有一抵接部,抵接部突出于主体以抵接基材。推动元件收容在腔室中,配置以推动抵接件朝向基材移动。

本公开实施例提供一种用于输送一基材的输送装置,包括一基板、至少一吸引单元以及多个移动限制单元。上述至少一吸引单元设置在基板的一侧并面向基材,配置以在基材上产生吸力。上述多个移动限制单元设置在基板的上述侧,配置以限制基材在输送期间的移动,其中移动限制单元的每一个包括一主体、一抵接件以及一推动元件。上述主体附接至基板。抵接件配置以抵接基材以限制基材的移动。推动元件设置在主体及抵接件之间,其中推动元件配置以:推动抵接件相对于主体朝向基板移动,以在基材未被至少一吸引单元拾起时达到一第一位置;以及容许抵接件相对于主体朝向基板移动,以在基材被至少一吸引单元固定且与抵接件接触时达到不同于第一位置的一第二位置。

本公开实施例提供一种输送一基材的方法,包括将一输送装置移动到固定在一第一基材支持件上的基材的上方,其中输送装置包括一基板、至少一吸引单元、以及基板上的多个移动限制单元;推动移动限制单元的每一个的一抵接件,以朝向基材移动;通过在基材上产生吸力的至少一吸引单元,将基材固定至输送装置;利用推动的多个抵接件以抵接基材,以在通过输送装置固定基材时,限制基材的移动;以及将输送装置与基材一起输送至一第二基材支持件。

本公开实施例的有益效果在于,在输送期间,通过提供推动元件给输送装置的移动限制单元以持续地推动抵接件朝向基材移动,当基材被输送装置固定时,抵接件会持续地碰触或接触基材,从而避免在运输期间预期之外的基材的旋转。

附图说明

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