[发明专利]一种改善EMI的深沟槽MOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种改善EMI的深沟槽MOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上制作若干层中间外延层，每层中间外延层的上侧注入形成有第一导电类型的重掺杂层，在最上层中间外延层上侧制作表面外延层；

步骤2，在所述表面外延层上长掩蔽层，在有源区内的掩蔽层上制作JEFT注入开口，并通过所述JEFT注入开口对表面外延层进行JEFT注入操作，以在表面外延层上形成JEFT注入区；

步骤3，在所述掩蔽层上制作沟槽开口，并通过所述沟槽开口在表面外延层和中间外延层上制作沟槽，沟槽的底部设置在最底层的中间外延层内，向所述沟槽内填充第二导电类型的杂质；

步骤4，执行退火操作，以将所述重掺杂层退火形成端部深入至沟槽内部的第一导电类型的pillar；

步骤5，在表面外延层、JEFT注入区和沟槽的上侧长氧化层，并将有源区内的氧化层去除，仅保留终端区的氧化层；

步骤6，在所述氧化层和有源区内的表面外延层的上侧长栅氧化层，在栅氧化层的上侧沉积多晶，并进行多晶掺杂，并刻蚀掉终端区、沟槽上侧以及有源区与终端区之间的多晶及栅氧化层；

步骤7，在有源区内多晶两侧的表面外延层及多晶执行杂质注入和推阱操作，以形成第一导电类型的重掺杂区，同时对多晶重掺杂；

步骤8，在所述表面外延层、沟槽、第一导电类型的重掺杂区和多晶的上侧沉积介质层，在所述介质层上刻蚀形成连接孔；

步骤9，在所述介质层的上侧及连接孔内溅射形成金属层，并将所述金属层刻蚀形成栅区和源区。

2.根据权利要求1所述的改善EMI的深沟槽MOS器件的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型的重掺杂层的注入元素为磷，注入的能量60-80KeV，注入的剂量1E12-3E12。

3.根据权利要求1所述的改善EMI的深沟槽MOS器件的制造方法，其特征在于，所述中间外延层包括6至8层。

4.根据权利要求1所述的改善EMI的深沟槽MOS器件的制造方法，其特征在于，在步骤4中的退火操作前，还在沟槽四周的表面外延层内注入形成有第二导电类型的结区，所述沟槽的上端外侧与第二导电类型的结区连接。

5.根据权利要求1所述的改善EMI的深沟槽MOS器件的制造方法，其特征在于，每层中间外延层的电阻率为1-3Ω.cm，且其厚度为5-7um。

6.一种改善EMI的深沟槽MOS器件，其特征在于，包括第一导电类型的衬底，所述衬底上侧依次设有若干层中间外延层和表面外延层，所述中间外延层和表面外延层内形成有沟槽，所述沟槽的底部设置在最底层的中间外延层内，所述沟槽内填充有第二导电类型的杂质，所述沟槽的两侧的每层中间外延层上侧形成若干个第一导电类型的pillar，所述第一导电类型的pillar的端部深入至沟槽的内部，所述沟槽的两侧的表面外延层上设有JEFT注入区，在终端区的表面外延层的上侧长有氧化层，在所述氧化层和有源区内的表面外延层的上侧长有栅氧化层，在有源区内的栅氧化层的上侧沉积有多晶，并刻蚀掉终端区、沟槽上侧以及有源区与终端区之间的栅氧化层和多晶，在所述多晶两侧的表面外延层内形成有第一导电类型的重掺杂区，同时对所述多晶进行重掺杂，在所述表面外延层、沟槽、第一导电类型的重掺杂区和多晶的上侧沉积有介质层，在所述介质层上刻蚀形成有连接孔，在所述介质层的上侧及连接孔内溅射形成有金属层，所述金属层刻蚀形成有栅区和源区。

7.根据权利要求6所述的改善EMI的深沟槽MOS器件，其特征在于，所述中间外延层包括6至8层。

8.根据权利要求6所述的改善EMI的深沟槽MOS器件，其特征在于，在退火操作前，还在沟槽四周的表面外延层内注入形成有第二导电类型的结区，所述沟槽的上端外侧与第二导电类型的结区连接。

9.根据权利要求6所述的改善EMI的深沟槽MOS器件，其特征在于，每层中间外延层的电阻率为1-3Ω.cm，且其厚度为5-7um。

10.根据权利要求6所述的改善EMI的深沟槽MOS器件，其特征在于，所述金属层和介质层的上侧沉积有钝化层，所述钝化层上刻蚀形成有栅极和源极的开口区；所述衬底的下侧依次蒸发有Ti、Ni和Ag层。