[发明专利]半导体封装结构和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包括：

电子设备，所述电子设备具有邻近于第一表面的暴露区；

坝，所述坝围绕所述电子设备的所述暴露区并安置在第一表面上，所述坝包括远离所述第一表面的上表面；

包封料，所述包封料包封所述电子设备的所述第一表面，所述包封料暴露所述电子设备的所述暴露区，

其中所述坝的表面从所述包封料的上表面缩回。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述暴露区包括可移动部分。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述可移动部分包括膜。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括导电端，所述导电端位于所述第一表面上，所述导电端电连接到所述暴露区。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中从俯视图角度看，所述暴露区包括圆形形状。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中从俯视图角度看，所述坝包括圆形形状。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述坝未投射于所述暴露区之上。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中从横截面角度看，所述坝包括圆角。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括导电通孔，所述导电通孔位于所述包封料中并且与所述暴露区电耦接。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括导电通孔，所述导电通孔位于所述电子设备中并且与所述暴露区电耦接。

11.一种半导体封装结构，其包括：

电子设备，所述电子设备具有邻近于第一表面的暴露区；以及

坝，所述坝围绕所述电子设备的所述暴露区并安置在所述第一表面上，所述坝包括覆盖第二电介质的第一电介质。

12.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其中所述第一电介质与所述第二电介质的上表面接触。

13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中所述第一电介质进一步与所述第二电介质的侧表面接触。

14.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其中所述第一电介质包括环氧树脂基材料。

15.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其中所述第二电介质包括聚酰亚胺或聚苯并噁唑。

16.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其进一步包括包封料，所述包封料包封所述电子设备和所述坝，所述包封料包括上表面，所述上表面的一部分基本上高于所述坝的上表面。

17.一种用于制造半导体封装结构的方法，所述方法包括：

在电子设备的第一表面之上图案化钝化层；

在所述第一表面上邻近于所述钝化层图案化坝；以及

去除所述钝化层的至少一部分并暴露所述电子设备的所述第一表面。

18.根据权利要求17所述的方法，其中去除所述钝化层的至少一部分包括执行定向蚀刻。

19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括包封所述电子设备并在所述钝化层之上形成开放腔。

20.根据权利要求17所述的方法，其中去除所述钝化层的至少一部分进一步包括去除所述坝的一部分。