[发明专利]二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和器件在审
| 申请号： | 202010655095.6 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111893456A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 刘碧录;冯思敏;成会明;谭隽阳 | 申请（专利权）人： | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/44 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 刘方 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维 过渡 金属 化合物 及其 制备 方法 器件 | ||
1.一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
取液态过渡金属源覆于衬底表面；
利用载气将液态硫族源输送至所述衬底表面，所述液态硫族源为硫醇、硒醇或碲醇，进行加热反应得到二维过渡金属硫族化合物。
2.根据权利要求1所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述硫醇包括丙硫醇、丁硫醇、十二硫醇的任一种；优选地，所述硒醇包括丙硒醇、丁硒醇中的任一种；优选地，所述碲醇包括甲碲醇、乙碲醇中的任一种。
3.根据权利要求1所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述液态过渡金属源中的过渡金属源选自钼源、钨源、钒源、铼源、钽源、铌源、钛源、铂源、钯源中的至少一种。
4.根据权利要求1至3任一项所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述加热反应的压强为0.05～1500Torr。
5.根据权利要求1至3任一项所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述加热反应的反应温度为200～1200℃；优选地，所述加热反应的升温速率为10～100℃/min；优选地，所述加热反应的时间为1～1200min。
6.根据权利要求1至3任一项所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述载气的流速为1～200sccm，优选为5～30sccm。
7.根据权利要求1至3任一项所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述加热反应在惰性气体的氛围下进行。
8.根据权利要求1至3任一项所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述过渡金属源的浓度为0.01～0.5mol/L。
9.一种二维过渡金属硫族化合物，其特征在于，根据权利要求1至8任一项所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法制得。
10.一种器件，其特征在于，包括权利要求9所述的二维过渡金属硫族化合物。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
