[发明专利]制造耐腐蚀涂覆物品的方法，耐腐蚀涂覆物品及其用途

权利要求书

1.一种用于由异形基底(10)制造耐腐蚀涂覆物品(100)的方法，所述方法包括：

在用于化学沉积的装置(R1)中，将保形第一涂层(1)沉积在所述异形基底(10)上，所述第一涂层(1)作为第一金属化合物(Me1)提供，以及在所述第一涂层(1)的顶部上沉积作为第二金属化合物(Me2)提供的第二涂层(2)，

在用于等离子体加工的装置(R2)中，将含卤素等离子体递送到涂覆有所述第一涂层和第二涂层的所述异形基底(10)上以产生耐腐蚀第三涂层(3，3A)，

其中在所述第二涂层(2)的顶部上形成涂覆物的所述第三涂层(3)由卤素掺杂的第二金属化合物(Hl-Me2)组成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在沉积所述第二涂层(2)时，借助于所述基底的异形部分(11)，诸如凹部和/或穿孔建立没有所述第二涂层的区域(2A)，并且其中在所述异形区域(2A)上形成涂覆物的所述第三涂层(3A)由卤素掺杂的第一金属化合物(Hl-Me1)组成。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其中，所述第三涂层(3，3A)是耐等离子体腐蚀的，特别地，耐卤素等离子体腐蚀的，其中含卤素等离子体是氟等离子体或氯等离子体。

4.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一金属化合物(Me1)和所述第二金属化合物(Me2)是金属氧化物。

5.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一金属化合物是氧化铝(Al₂O₃)，并且其中所述第二金属化合物是氧化钇(Y₂O₃)。

6.根据前述权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述第二金属化合物选自以下中的任一种：氧化锶(SrO)、二氧化锆(ZrO₂)、二氧化铌(NbO₂)、二氧化铪(HfO₂)、五氧化二钽(Ta₂O₅)或其组合。

7.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述用于化学沉积的装置(R1)是用于化学气相沉积的装置，诸如用于原子层沉积(ALD)的装置，并且其中所述用于等离子体加工的装置(R2)选自以下中的任一种：用于等离子体增强化学气相沉积的装置、用于等离子体辅助物理气相沉积的装置或等离子体蚀刻器。

8.一种耐腐蚀涂覆物品(100)，包括：

具有沉积在其上的保形第一涂层(1)的异形基底(10)，所述第一涂层(1)作为第一金属化合物(Me1)提供，

第二涂层(2)，其沉积在所述第一涂层(1)的顶部上并且作为第二金属化合物(Me2)提供，以及

第三涂层(3，3A)，

其中在所述第二涂层(2)的顶部上形成涂覆物的所述第三涂层(3)由卤素掺杂的第二金属化合物(Hl-Me2)组成。

9.根据权利要求8所述的涂覆物品(100)，其中，在沉积所述第二涂层(2)时，借助于所述基底的异形部分(11)，诸如凹部和/或穿孔建立没有所述第二涂层的区域(2A)，其中在所述异形区域(2A)上形成涂覆物的所述第三涂层(3A)由卤素掺杂的第一金属化合物(Hl-Me1)组成。

10.根据权利要求8或9中任一项所述的涂覆物品，其中，所述第三涂层(3，3A)是耐等离子体腐蚀的，特别地，耐卤素等离子体腐蚀的。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的涂覆物品，其中，所述第一金属化合物(Me1)和所述第二金属化合物(Me2)是金属氧化物。