[发明专利]便于半导体石墨晶圆加工的融化装置及其使用方法

说明书

本发明公开了便于半导体石墨晶圆加工的融化装置，包括底座，在底座的顶面定设有融化箱，在融化箱的一侧顶部设有设备箱；在融化箱内的上部固定设有分隔板，融化箱通过分隔板分隔成粉碎腔和融化腔；在粉碎腔内横向平行设置有两根粉碎轴，在每根粉碎轴的轴体上均套设有若干第一套管，在每个第一套管的表面周侧均固定设有粉碎组件；在融化腔内横向设有搅拌轴，在搅拌轴的轴体上等距固定套设有第二套管，在每个第二套管的管体上部和下部分别固定设有扰动组件和搅拌组件；本发明操作简单，通过通过驱动组件和粉碎组件，解决了粉碎效率较差和粉碎质量及均匀性不佳的问题；通过扰流组件和搅拌组件，解决了溶解时耗时较长和混合效果较差的问题。

技术领域

本发明涉及半导体石墨晶圆加工的技术领域，尤其涉及便于半导体石墨晶圆加工的融化装置及其使用方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片；单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了晶圆；通常在单晶硅圆片的表面涂有含有硼或氮的氧化石墨烯乙醇溶液，便制作成半导体石墨晶圆片；在对石墨晶圆片进行回收时，需对其进行粉碎和融化，现有墨晶圆的粉碎装置存在粉碎效率较差和粉碎质量及均匀性不佳的缺点，由于粉碎的不够均匀导致墨晶圆微粒在溶解时存在耗时较长以及混合效果较差的缺点。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的便于半导体石墨晶圆加工的融化装置。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

便于半导体石墨晶圆加工的融化装置，包括底座，所述底座为水平设置的矩形板状，在所述底座的顶面中部固定设有矩形的溶解箱，在所述溶解箱的一侧顶部固定设有矩形的设备箱，在所述设备箱内固定设有驱动组件；在所述溶解箱的一侧中部横向固定设有进液管；在所述溶解箱的另一侧底部横向固定设有出液管，在所述出液管上方的溶解箱另一侧箱体上固定设有矩形的电机箱，在所述电机箱内横向固定设有第一电机，在所述溶解箱顶面的中部两侧均竖向设有敞口状的进料斗，在所述溶解箱内的上部水平固定设有分隔板，所述溶解箱通过分隔板分隔成粉碎腔和融化腔；

在所述粉碎腔的两侧内壁中部的前后端均固定设有第一轴承，在所述粉碎腔内横向平行设置有两根粉碎轴，且每根所述粉碎轴的两端均固接在第一轴承的内圈中；在每根所述粉碎轴的轴体上均等距固定套设有若干第一套管，在每个所述第一套管的表面周侧均固定设有粉碎组件；在所述融化腔的两侧内壁的中部均固定设有第二轴承，在所述融化腔内横向设有搅拌轴，在所述搅拌轴的轴体上等距固定套设有第二套管，在每个所述第二套管的管体上部和下部分别固定设有扰动组件和搅拌组件，所述搅拌轴的一端贯穿进电机箱内，并通过联轴器与第一电机的电机轴同轴固接。

优选地，所述粉碎组件包括T型粉碎块和粉碎凸块，在每个所述第一套管的表面周侧均固定设有T型粉碎块，在每个所述T型粉碎块的顶面中部和两侧分别开设有矩形的粉碎槽和破碎槽，在所述粉碎腔的前端和后端内壁上均固定设有粉碎凸块，且每个所述粉碎凸块的凸起部位均延伸进粉碎槽和破碎槽内；在位于粉碎腔后端粉碎轴上的T型粉碎块与位于粉碎腔前端粉碎轴上的T型粉碎块左右交错设置。

优选地，所述驱动组件包括第二电机、蓄电池、主动齿轮和从动齿轮，所述第二电机横向固定设置在设备箱内的前端，在所述设备箱内的后端固定设有蓄电池，每根所述粉碎轴的一端均贯穿进设备箱内，所述第二电机的电机轴通过联轴器与位于前端的粉碎轴一端同轴固接；在位于设备箱内前端的粉碎轴轴体上固定套设有主动齿轮，在位于设备箱内后端的粉碎轴轴体上固定套设有从动齿轮，且所述主动齿轮与从动齿轮啮合传动。

优选地，所述扰动组件包括第一竖杆、扰流杆和扰流板，在每个所述第二套管的管体上部均竖向固定设有第一竖杆，在每个所述第二竖杆的杆体两侧均等距横向固定设有朝下倾斜设置的扰流杆，在每个所述第一竖杆两侧的扰流杆之间均竖向固定设有扰流板。