[发明专利]存储器设备在审

专利信息
申请号: 202010651112.9 申请日: 2020-07-08
公开(公告)号: CN112767986A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 姜南求 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/34;G11C29/12
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 傅远
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 设备
【权利要求书】:

1.一种存储器设备,包括:

存储器单元阵列,包括多个存储器块;

外围电路,被配置为对所述多个存储器块中的选定存储器块执行编程操作,并且被配置为在所述编程操作期间将所述选定存储器块中包括的存储器单元编程为多个编程状态;以及

控制逻辑,被配置为控制所述外围电路执行所述编程操作,

其中所述控制逻辑被配置为对所述编程操作期间所使用的编程脉冲数目进行计数,并且被配置为基于所计数的编程脉冲数目来确定所述选定存储器块是否为坏块。

2.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,在所述编程操作期间,所述控制逻辑被配置为计算与所述多个编程状态中的每个编程状态相对应的多个编程脉冲差值,并且被配置为将计算的所述多个编程脉冲差值和与所述多个编程状态相对应的多个参考差值进行比较。

3.根据权利要求2所述的存储器设备,其中,在基于所述多个编程状态中的选定编程状态的所述编程操作期间,所述控制逻辑被配置为检查所述选定编程状态的第一编程脉冲计数和最后一个编程脉冲计数,并且被配置为计算所检查的第一编程脉冲计数与所检查的最后一个编程脉冲计数之间的差,从而产生所述选定编程状态的编程脉冲差值。

4.根据权利要求3所述的存储器设备,其中所述控制逻辑被配置为当所述选定编程状态的所述编程脉冲差值大于所述多个参考差值中的与所述选定编程状态相对应的参考差值时,将所述选定存储器块确定为所述坏块。

5.根据权利要求3所述的存储器设备,其中所述控制逻辑被配置为通过顺序选择所述多个编程状态来控制所述外围电路执行所述编程操作。

6.根据权利要求2所述的存储器设备,其中所述多个参考差值彼此相等或不同。

7.根据权利要求1所述的存储器设备,其中所述控制逻辑包括:

编程脉冲计数器,被配置为在所述编程操作期间对所述编程脉冲数目进行计数,并且检查所述多个编程状态中的每个编程状态的第一编程脉冲计数和最后一个编程脉冲计数;

计算电路,被配置为基于所述第一编程脉冲计数和所述最后一个编程脉冲计数,来计算与所述多个编程状态中的每个编程状态相对应的多个计数差值;

比较电路,被配置为基于所述多个计数差值和与所述多个编程状态中的每个编程状态相对应的多个参考差值之间的比较,来输出通过信号或失败信号;以及

坏块信息生成电路,被配置为基于所述通过信号或所述失败信号来生成和输出坏块信息,所述坏块信息包括所述选定存储器块的确定信息。

8.根据权利要求7所述的存储器设备,其中所述第一编程脉冲计数是当首先通过编程的存储器单元在基于所述多个编程状态中的所述选定编程状态的编程验证操作期间被检测到时的编程脉冲计数,以及

其中所述最后一个编程脉冲计数是当最后一个通过编程的存储器单元在基于所述多个编程状态中的所述选定编程状态的所述编程验证操作期间被检测到时的编程脉冲计数。

9.一种存储器设备,包括:

存储器单元阵列,包括多个存储器块;

外围电路,被配置为对所述多个存储器块中的选定存储器块执行编程操作,并且被配置为在所述编程操作期间将所述选定存储器块中包括的存储器单元编程为多个编程状态;以及

控制逻辑,被配置为控制所述外围电路执行所述编程操作;

其中所述控制逻辑被配置为通过对所述编程操作期间所使用的编程脉冲数目进行计数来设置多个编程脉冲计数范围,并且被配置为基于所设置的多个编程脉冲计数范围之外的存储器单元的数目,来确定所述选定存储器块是否为坏块。

10.根据权利要求9所述的存储器设备,其中所述控制逻辑被配置为在所述编程操作期间,计算与所述多个编程状态中的每个编程状态相对应的多个编程脉冲计数平均值。

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