[发明专利]一种产生相反地磁化的磁结构的方法

权利要求书

1.一种在基板材料（110、110a、110b）内或上制造磁结构（300、700、800、900、1000）的方法（110A、110B），包括：

在所述基板材料内或所述基板材料上产生第一数量的腔（120），并且用表现出第一矫顽场强度（H_CA、H_CB、H₁、H₂）的第一硬磁材料（130、140）填充（200）所述第一数量的腔，以便生成第一硬磁布置（350、1140a、1140b）；

在所述基板材料内或所述基板材料上产生第二数量的腔，并用表现出小于所述第一矫顽场强度的第二矫顽场强度的第二硬磁材料填充所述第二数量的腔，从而产生第二硬磁布置（350、1140a、1140b）；

利用第一磁场在第一方向上磁化所述第一硬磁布置和所述第二硬磁布置，所述第一磁场表现出超过所述第一矫顽场强度和所述第二矫顽场强度的场强度；

利用第二磁场在不同于所述第一方向的第二方向上磁化所述第二硬磁布置，所述第二磁场表现出低于所述第一矫顽场强度但超过所述第二矫顽场强度的场强度；

其中所述第二硬磁布置的所述磁化包括将所述第一硬磁布置和所述第二硬磁布置暴露于所述第二磁场。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一矫顽场强度与所述第二矫顽场强度之间的差异大于50%。

3.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述第一硬磁布置的所述第一数量的腔的深度和/或横截面不同于用于所述第二硬磁布置的所述第二数量的腔的深度和/或横截面，使得在磁化之后所述第一硬磁布置和所述第二硬磁布置内的各个磁体的磁场强度在量上相同。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一数量的腔和所述第二数量的腔的所述横截面是相同的，并且所述第一数量的腔和所述第二数量的腔的所述深度彼此不同，使得在磁化之后所述第一硬磁布置和所述第二硬磁布置内的各个磁体的磁场强度在量上相同。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一数量的腔和所述第二数量的腔的所述填充包括填入的材料的物理和/或化学固化。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述物理和/或化学固化包括将所述基板材料暴露于原子层沉积。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板材料是玻璃材料、硅材料、塑料材料或陶瓷材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硬磁材料和所述第二硬磁材料是NdFeB材料和/或SmCo材料和/或PtCo材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硬磁材料和所述第二硬磁材料是粉末状材料和/或材料颗粒。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述基板内或所述基板上产生所述硬磁布置包括以下步骤：

在第一基板内或第一基板上产生所述第一硬磁布置；

在第二基板内或第二基板上产生所述第二硬磁布置；

其中所述第二基板和所述第一基板在磁化之前连接。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在所述基板内或所述基板上产生所述硬磁布置包括以下步骤：

在第一基板内或第一基板上产生第一数量的第一硬磁布置和第二硬磁布置；

在第二基板内或第二基板上产生第二数量的第一硬磁布置和第二硬磁布置；

其中所述第二基板和所述第一基板在磁化之前连接。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硬磁布置和所述第二硬磁布置的各个磁体（350、1140a、1140b）交替地布置在基板材料上或基板材料内。