[发明专利]一种IC封装用高纯熔融硅微粉的制备方法

权利要求书

1.一种IC封装用高纯熔融硅微粉的制备方法，其特征在于，其步骤如下：

（1）选取SiO₂含量≥99.90%的高纯熔融石英块为原料；

（2）将粒度1-15cm高纯熔融石英块投入粉碎机中破碎得到5mm以下半成品熔融砂；半成品熔融砂粒度为：+4目≤0%，-30目≥20%；

（3）制备：将半成品熔融砂加入间歇式球磨机中进行干法研磨，先在40-46Hz的研磨频率下研磨50±10min；研磨好的物料经除铁器除铁，得硅微粉成品；硅微粉成品的D10＝3.2-4.2μm，D50＝12.5-19μm，D90＝42-48μm。

2.根据权利要求1所述的一种IC封装用高纯熔融硅微粉的制备方法，其特征在于：步骤（1）所述的原料高纯熔融石英块，其SiO₂≥99.80%，Al₂O₃≤500ppm，Fe₂O₃≤500ppm，磁性物≤16ppm。

3.根据权利要求2所述的一种IC封装用高纯熔融硅微粉的制备方法，其特征在于：步骤（1）所述的原料高纯熔融石英块，SiO₂≥99.90%，Al₂O₃≤500ppm，Fe₂O₃≤500ppm,磁性物≤10ppm。

4.根据权利要求1所述的一种IC封装用高纯熔融硅微粉的制备方法，其特征在于：每次生产装机2-4t原料，研磨磨介选择氧化铝磨介6-10t，ø20氧化铝球1.5-2.5t，ø30氧化铝球1.5-2.5t，Ø40氧化铝球1.5-2.5t，ø50氧化铝球1.5-2.5t。

5.根据权利要求4所述的一种IC封装用高纯熔融硅微粉的制备方法，其特征在于：每次生产装机3-3.5t原料，研磨磨介选择氧化铝磨介7-8t，ø20氧化铝球1.8-2t，ø30氧化铝球1.8-2t，Ø40氧化铝球1.8-2t，ø50氧化铝球1.8-2t；研磨时间50-55min。

6.根据权利要求1所述的一种IC封装用高纯熔融硅微粉的制备方法，其特征在于：硅微粉成品的D100≤20.0μm, 径距≤3.8μm，比表面积0.5-0.7m2/g。

7.根据权利要求1所述的一种IC封装用高纯熔融硅微粉的制备方法，其特征在于：在20-25Hz的频率下通过35-40min的排料操作将研磨好的物料排入到底仓，之后通过斗式提升机提料到卧式桨叶混合机中进行粒度混合，混合完成卸料到料仓中，通过料仓底部安装螺旋喂料机，将物料喂入至振动筛，振动筛经过初筛和精筛后，再用除铁器除铁。

8.根据权利要求1所述的一种IC封装用高纯熔融硅微粉的制备方法，其特征在于：步骤（3）制法中：将半成品熔融砂加入到干法间歇式球磨机中，先在46Hz的研磨频率下研磨时间50±10min，然后在20Hz的频率下通过40min的排料操作将研磨好的物料排入到底仓之后通过斗式提升机提料到卧式桨叶混合机中对底仓提出的物料进行粒度混合，混合完成卸料到料仓中，通过料仓底部安装螺旋喂料机，将物料喂入至振动筛，振动筛经过一层具有保护功能的初次筛分和稳定物料粒度精筛后，经过6组箱式除铁器层层除铁，到达包装机，使用阀口袋或吨包袋进行成品包装。