[发明专利]晶棒生长设备及生长方法

权利要求书

1.一种晶棒生长设备，其特征在于，所述晶棒生长设备包括：

生长炉，所述生长炉的上部设置有探测窗口；

坩埚，位于所述生长炉内，用于放置晶棒生长的原料；

加热器，位于所述生长炉内，且位于所述坩埚的外围，用于在晶棒生长过程中对所述坩埚内的所述原料进行加热；

提拉机构，所述提拉机构包括提拉线及驱动装置，所述提拉线一端与晶棒的上部相连接，另一端与所述驱动装置相连接，所述晶棒的下部伸入所述坩埚内，所述晶棒具有多根沿所述晶棒的纵向延伸的晶线；

红外探测仪，位于所述生长炉的外侧，所述红外探测仪的探测信号经所述探测窗口到达所述晶棒表面以测量所述晶棒的直径；

分度盘，位于所述生长炉的上方，且与所述提拉机构相连接，以在所述提拉机构的带动下和所述晶棒同步旋转，所述分度盘的等分线的正投影位于所述晶棒的相邻两根晶线之间；

传感器，位于所述分度盘的外围，且与所述分度盘具有间距，所述传感器用于检测所述分度盘的等分线；

控制装置，所述控制装置与所述红外探测仪及所述传感器相连接，用于在所述传感器检测到所述分度盘的等分线时控制所述红外探测仪测量所述晶棒的直径。

2.根据权利要求1所述的晶棒生长设备，其特征在于：所述晶棒的晶线为四条，四条所述晶线在所述晶棒的周向上均匀间隔分布，所述分度盘为四等分分度盘。

3.根据权利要求1所述的晶棒生长设备，其特征在于：所述分度盘的等分线上的任意一点到相邻两条晶线的距离相等。

4.根据权利要求1所述的晶棒生长设备，其特征在于：所述控制装置包括存储单元，所述红外探测仪测量的数据存储于所述控制装置中。

5.根据权利要求1所述的晶棒生长设备，其特征在于：所述晶棒生长设备还包括热屏装置，位于所述生长炉内，且位于所述晶棒的外围，并向所述生长炉的内壁方向延伸。

6.根据权利要求1所述的晶棒生长设备，其特征在于：所述控制装置包括计算机、MCU和PLC中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的晶棒生长设备，其特征在于：所述分度盘的正投影覆盖所述晶棒。

8.根据权利要求1所述的晶棒生长设备，其特征在于：所述传感器包括接触式传感器和光电传感器中的一种或两种。

9.根据权利要求1-8任一项所述的晶棒生长设备，其特征在于：所述晶棒的轴心线与所述分度盘的中心线相重合。

10.一种晶棒生长方法，其特征在于：所述晶棒生产方法基于权利要求1-9任一项所述的晶棒生长设备进行。