[发明专利]一种铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法有效
申请号: | 202010646745.0 | 申请日: | 2020-07-07 |
公开(公告)号: | CN111755323B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 刘瑞建 | 申请(专利权)人: | 内蒙古大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/032 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 梁静 |
地址: | 010021 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫 太阳电池 吸收 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、ZnS致密层的制备
在基板上制备ZnS致密层,将基板依次交替在锌源前驱体溶液、硫源前驱体溶液中浸泡30~50次,每次浸泡时间均为10~30s,每次浸泡之后均在水中超声辐照10~30s;烧结,冷却至室温,得到ZnS致密层;S1中,所述锌源前驱体溶液是由锌盐中加入络合剂混合制备得到的,其中,锌盐与络合剂的摩尔比为1:1~3;所述硫源前驱体溶液是由无机硫化物溶解在水中制备得到;锌离子与硫离子的摩尔比为1:1~2;
S2、铜锌锡硫薄膜的制备
在ZnS致密层上制备铜锌锡硫薄膜,将卤化铵作为添加剂加入到铜锌锡硫前驱体溶液中,然后涂覆于S1的ZnS致密层上,在150~250℃下加热退火0.5~2h,得到铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜。
2.根据权利要求1所述的铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法,其特征在于,所述锌盐为硫酸锌、硝酸锌、氯化锌、醋酸锌中的任意一种;所述络合剂为乙二胺或三乙醇胺。
3.根据权利要求1所述的铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法,其特征在于,S1中,所述无机硫化物为硫化钠、硫化钾、硫化铵中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法,其特征在于,S2中,卤化铵为氟化铵、氯化铵、溴化铵中的任意一种;卤化铵在铜锌锡硫前驱体溶液中的浓度占比为5vol%~7vol%。
5.根据权利要求1所述的铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法,其特征在于,S2中,铜锌锡硫前驱体溶液的制备过程如下:
S2.1、分别将含有铜、锌、锡、硫的化合物依次加入溶剂A中,在高压反应釜中,以180~220℃保温反应18~24h,冷却至室温,得到铜锌锡硫纳米粒子;
S2.2、将S2.1得到的铜锌锡硫纳米粒子加入溶剂B中,经超声分散,得到铜锌锡硫前驱体溶液。
6.根据权利要求5所述的铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法,其特征在于,S2.1中,所述含有铜、锌、锡、硫的化合物的摩尔比2:1~1.5:1~1.5:4~8。
7.根据权利要求5所述的铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法,其特征在于,S2.1中,所述含铜的化合物为硝酸铜、氯化铜、硫酸铜、醋酸铜中的任意一种;所述含锌的化合物为硝酸锌、氯化锌、硫酸锌、醋酸锌中的任意一种;所述含锡的化合物为氯化亚锡、硫酸亚锡、四氯化锡、醋酸锡中的任意一种;所述含硫的化合物为硫化锌、硫脲、硫粉中的任意一种。
8.根据权利要求5所述的铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法,其特征在于,所述溶剂A为乙二胺;所述溶剂B为乙醇、乙二醇、异丙醇中任意的一种与水的混合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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