[发明专利]在一个或多个埋置多晶层上方的鳍式场效应晶体管

权利要求书

1.一种结构，包括：

半导体层，包括第一区域，该第一区域包含多晶半导体材料、多个第一缺陷、以及惰性气体种类的原子；以及

多个第一鳍片，位于该半导体层的该第一区域上方。

2.如权利要求1所述的结构，其中，该多个第一鳍片具有完全延伸至该半导体层的该第一区域的相应侧壁。

3.如权利要求1所述的结构，还包括：

阱，位于该半导体层的该第一区域与该多个第一鳍片之间。

4.如权利要求3所述的结构，其中，各该多个第一鳍片具有直接位于该阱上方的部分，且各该多个第一鳍片的该部分与该阱分别包含掺杂物。

5.如权利要求1所述的结构，其中，各该多个第一鳍片具有第一部分以及位于该第一部分与该半导体层的该第一区域之间的第二部分，且各该多个第一鳍片的该第二部分包含具有第一导电类型的第一掺杂物。

6.如权利要求5所述的结构，其中，各该多个第一鳍片的该第一部分未经掺杂。

7.如权利要求5所述的结构，还包括：

多个第二鳍片，位于该半导体层的该第一区域上方，

其中，各该多个第二鳍片具有第一部分以及位于该第一部分与该半导体层的该第一区域之间的第二部分，且各该多个第二鳍片的该第二部分包含具有与该第一导电类型相反的极性的第二导电类型的第二掺杂物。

8.如权利要求7所述的结构，还包括：

第一阱，位于该半导体层的该第一区域与该多个第一鳍片之间的该半导体层中，该第一阱包含该第一掺杂物；以及

第二阱，位于该半导体层的该第一区域与该多个第二鳍片之间的该半导体层中，该第二阱包含该第二掺杂物。

9.如权利要求8所述的结构，其中，该半导体层在该第一阱及该第二阱内包含单晶半导体材料。

10.如权利要求1所述的结构，其中，该半导体层包括第二区域，该第二区域包含多晶半导体材料、多个第二缺陷、以及惰性气体种类的原子。

11.如权利要求10所述的结构，其中，该半导体层的该第一区域位于该半导体层的该第二区域与该多个第一鳍片之间。

12.如权利要求11所述的结构，其中，该半导体层在该半导体层的该第一区域与该半导体层的该第二区域之间为单晶。

13.如权利要求1所述的结构，还包括：

栅极结构，与该多个第一鳍片具有叠置关系。

14.一种方法，包括：

以惰性气体种类的离子在深度范围注入第一半导体层，以改性在第一区域以及在该第一区域与该第一半导体层的顶部表面之间的第二区域中的该第一半导体层的半导体材料的晶体结构；

用退火制程退火该第一半导体层，以将该第一半导体层的该第一区域内的该半导体材料转换为多晶状态，并将该第一半导体层的该第二区域内的该半导体材料转换为单晶状态；

在退火该第一半导体层以后，在该第一半导体层的该第二区域上方外延生长第二半导体层；以及

图案化该第二半导体层以及该第一半导体层的该第二区域，以形成多个第一鳍片，

其中，该第一区域包含多个缺陷以及该惰性气体种类的原子。

15.如权利要求14所述的方法，其中，该多个第一鳍片具有完全延伸至该第一半导体层的该第一区域的侧壁。

16.如权利要求14所述的方法，还包括：

在用该退火制程退火该第一半导体层之前，以掺杂物离子注入该第一半导体层的该第二区域。