[发明专利]X射线探测器和具有X射线探测器的X射线设备

权利要求书

1.一种X射线探测器(2)，具有用于直接转换X射线的一个传感器层(10)和下游的一个读取芯片(16)，

其特征在于，在传感器层(10)和读取芯片(16)之间中间连接有第一放大级(12)。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，所述读取芯片(16)具有第二放大级(34)。

3.根据权利要求1或2所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，在传感器层(20)和读取芯片(16)之间中间连接有一个中介层(14)。

4.根据权利要求3所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，所述第一放大级(12)被中间连接在传感器层(10)和中介层(14)之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，所述第一放大级(12)借助于基于TFT技术的方法被制造。

6.根据权利要求3或4所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，在传感器层(10)和读取芯片(16)之间中间连接有一个玻璃中介层作为中介层(14)，并且借助于基于TFT技术的方法在所述玻璃中介层上制造所述第一放大级(12)。

7.根据权利要求3或4所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，在传感器层(10)和读取芯片(16)之间中间连接有所述中介层(14)，所述中介层(14)具有多个层(40、41、42)，并且所述第一放大级(12)由所述多个层(41)中的至少一个层形成。

8.根据权利要求7所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，形成所述第一放大级(12)的层(41)连接在一个重布线层(42)的上游。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，所述第一放大级(12)在一个薄膜上实现。

10.根据权利要求9所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，所述第一放大级(12)被印制在所述薄膜上。

11.根据权利要求9或10所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，所述薄膜被层压在所述传感器层(12)或一个中介层(14)上。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，所述第一放大级(12)附接在所述传感器层(10)处。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，所述第一放大级(12)借助于通过外延施加到所述传感器层(10)上的一个半导体层(41)来实现。

14.根据权利要求12或13所述的X射线探测器(2)，

其特征在于，在所述第一放大级(12)和所述读取芯片(16)之间中间连接有一个印刷电路板(52)。

15.一种X射线设备(4)，具有一个X射线源(6)和一个根据前述权利要求中任一项所述的X射线探测器(2)。