[发明专利]一种单增李斯特菌印迹电化学传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种制备单增李斯特菌印迹工作电极的方法，其特征在于，所述方法是基于表面分子印迹技术，通过以单增李斯特菌为模板，吡咯为功能单体，将修饰了金纳米粒子的氧化铟锡ITO电极置于含有模板、功能单体、电解质溶液的电聚合液中进行电化学聚合；洗脱模板，得到单增李斯特菌印迹工作电极；

所述的方法包括如下步骤：

（1）将ITO电极置于氯金酸溶液中，在ITO电极表面电沉积修饰金纳米粒子；

（2）电沉积结束后，洗涤电极后室温晾干，将修饰纳米金的ITO电极上置于模板单增李斯特菌、功能单体吡咯、电解质氯化钾溶液的电聚合液中，进行电化学聚合；

（3）电化学聚合结束后，洗涤电极后室温晾干，将电极依次浸没于溶菌酶和十二烷基硫酸钠溶液中洗脱模板，得到单增李斯特菌印迹工作电极；

其中，电聚合液中所述的单增李斯特菌是单增李斯特菌ATCC19115，浓度是1.0×10⁸CFU/mL；

步骤（1）中所述电沉积采用循环伏安法进行，其中初始电位为-1 V，终电位为0.5 V，扫描速率100 mV/s，扫描圈数为7圈；

步骤（2）中所述的电聚合液中所述的功能单体吡咯的浓度是0.2 M；

步骤（2）所述电聚合液中电解质氯化钾的浓度是0.2 M；

步骤（2）所述电化学聚合采用循环伏安法，初始电位为0 V，终电位为0.7 V，扫描速度为100 mV/s，聚合圈数为8圈。

2.权利要求1所述的方法制备得到的单增李斯特菌印迹工作电极。

3.一种制备单增李斯特菌印迹电化学传感器的方法，其特征在于，所述方法是将权利要求2所述的单增李斯特菌印迹工作电极连接电化学工作站，得到单增李斯特菌印迹电化学传感器。

4.权利要求3所述 的方法制备得到的单增李斯特菌印迹电化学传感器。

5.权利要求4所述的单增李斯特菌印迹电化学传感器在检测单增李斯特菌中的应用。