[发明专利]电子装置在审
| 申请号: | 202010635941.8 | 申请日: | 2020-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN112186359A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 邱亮云;蔡宗翰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01Q3/36 | 分类号: | H01Q3/36;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
| 地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
一第一基板;
一第二基板;
一液晶层,设置于所述第一基板与所述第二基板之间;
一馈入结构,设置于所述第一基板上,用以传输一射频信号;以及
多个移相电极,设置于所述第一基板上,且所述多个移相电极的至少一者用以接收所述射频信号;
其中所述多个移相电极的至少一者与一薄膜晶体管电性连接。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述薄膜晶体管包括一有源层,于所述电子装置的俯视方向,所述有源层与所述多个移相电极的至少一者不重叠。
3.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,所述有源层与所述多个移相电极的至少一者之间相距一距离,所述距离的范围介于0.1毫米至100毫米之间。
4.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述薄膜晶体管包括一有源层,于所述电子装置的俯视方向,所述有源层与所述馈入结构不重叠。
5.如权利要求4所述的电子装置,其特征在于,所述有源层与所述馈入结构之间相距一距离,所述距离的范围介于1毫米至200毫米之间。
6.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括一贴片组件,设置于所述多个移相电极的至少一者上,其中所述薄膜晶体管包括一有源层,于所述电子装置的俯视方向,所述有源层与所述贴片组件不重叠。
7.如权利要求6所述的电子装置,其特征在于,所述有源层与所述贴片组件之间相距一距离,所述距离的范围介于0.1毫米至150毫米之间。
8.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括多个贴片组件,分别设置于所述多个移相电极上,其中相邻的两个贴片组件之间相距一距离,所述距离的范围介于0.1毫米至300毫米之间。
9.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述薄膜晶体管的数量大于或等于所述多个移相电极的数量。
10.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括一储存电容,与所述多个移相电极的至少一者电性连接。
11.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述多个移相电极各自与一薄膜晶体管电性连接。
12.如权利要求11所述的电子装置,其特征在于,与所述多个移相电极电性连接的薄膜晶体管各自包括一有源层,其中相邻的两个薄膜晶体管的有源层之间相距一距离,所述距离的范围介于0.1毫米至300毫米之间。
13.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述薄膜晶体管设置于所述液晶层与所述第一基板之间。
14.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述馈入结构包括一馈入线,所述馈入线的一端部与所述多个移相电极的至少一者的一端部相对设置。
15.如权利要求14所述的电子装置,其特征在于,所述馈入线的所述端部与所述多个移相电极的至少一者的所述端部之间相距一距离,所述距离的范围介于0.05毫米至5毫米之间。
16.如权利要求14所述的电子装置,其特征在于,所述馈入线借由一导孔与一导电层电性连接。
17.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述馈入结构与所述多个移相电极的至少一者设置于不同层别。
18.如权利要求17所述的电子装置,其特征在于,所述馈入结构与所述多个移相电极的至少一者部分地重叠。
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