[发明专利]半导体封装用环氧树脂组合物及半导体装置在审
| 申请号： | 202010635749.9 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112175350A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 长田将一;大石宙辉;川村训史;萩原健司;横田竜平;金田雅浩 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C08L63/00 | 分类号： | C08L63/00;C08L91/06;C08K3/36;C08K3/24;C08K3/22;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 环氧树脂 组合 装置 | ||
1.一种半导体封装用环氧树脂组合物，其包含：
(A)环氧树脂、
(B)苯酚类固化剂、
(C)具有脲结构的固化促进剂、
(D)激光直接成型添加剂、以及
(E)无机填充材料。
2.如权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中，
所述(D)成分为由下式(1)的平均组成式表示、且具有尖晶石结构的金属氧化物，
AB2O4 (1)
式中，A为选自铁、铜、镍、钴、锌、镁以及锰中的1种或2种以上的金属元素，B为铁或铬，但A和B不同时为铁。
3.如权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中，
相对于所述(A)成分和所述(B)成分的总量100质量份，所述(D)成分的添加量为20～100质量份。
4.如权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中，
所述(D)成分的平均粒径为0.01～5μm。
5.如权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中，
将10质量份的所述(D)成分浸渍在50质量份的纯水中，得到所述(D)成分的水分散液，将该水分散液在125℃±3℃条件下静置20±1小时后，该(D)成分的水分散液中的钠离子浓度为50ppm以下，并且氯离子浓度为50ppm以下。
6.如权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中，
所述(E)成分的通过湿式筛法的顶切直径为5～25μm、平均粒径为0.5～10μm。
7.一种半导体装置，其具有权利要求1～6中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物的固化物。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，
所述固化物的至少一部分经过了镀敷处理。
9.权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，
在激光照射部位实施镀敷处理。
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