[发明专利]蚀刻处理方法及基板处理装置

权利要求书

1.一种蚀刻处理方法，包括：

在处理容器内准备形成有层叠膜的基板的工序，该层叠膜至少具有含硅绝缘层、布置在所述含硅绝缘层的下层的基底层、以及布置在所述含硅绝缘层的上层的掩模层；

供给至少包含氟碳化合物气体和稀有气体的处理气体的工序；以及

在供给有所述处理气体的处理容器内产生等离子体以对所述层叠膜进行蚀刻的工序，

其中，所述稀有气体包含第一气体，该第一气体的电离能高于Ar气体，并且电离的单个颗粒具有的动量低于电离的Ar气体的单个颗粒的动量。

2.根据权利要求1所述的蚀刻处理方法，其中，

所述稀有气体包含第二气体，

所述蚀刻处理方法包括：对所述稀有气体中包含的所述第一气体与所述第二气体的比例进行控制的工序，

所述第二气体包含Ar气体、或者电离能低于Ar气体的气体中的至少一者。

3.一种蚀刻处理方法，包括：

在处理容器内准备形成有层叠膜的基板的工序，该层叠膜至少具有含硅绝缘层、布置在所述含硅绝缘层的下层的基底层、以及布置在所述含硅绝缘层的上层的掩模层；

供给至少包含氟碳化合物气体和稀有气体的处理气体的工序；

在供给有所述处理气体的处理容器内产生等离子体以对所述层叠膜进行蚀刻的工序；以及

对所述稀有气体中包含的第一气体与第二气体的比例进行控制的工序，所述稀有气体包含所述第一气体或所述第二气体中的至少一者，

其中，所述第一气体的电离能高于Ar气体，并且电离的单个颗粒具有的动量低于电离的Ar气体的单个颗粒的动量，

所述第二气体是Ar气体、或者电离能低于Ar气体的气体。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻处理方法，其中，

所述第一气体的亚稳态的电位高于Ar气体的亚稳态的电位。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻处理方法，其中，

所述第一气体包含He气体或Ne气体中的至少一者。

6.根据权利要求2或3所述的蚀刻处理方法，其中，

电离能低于Ar气体的所述气体是Kr气体或Xe气体。

7.根据权利要求2或3所述的蚀刻处理方法，其中，

在对所述稀有气体中包含的所述第一气体与所述第二气体的比例进行控制的工序中，根据被蚀刻的所述层叠膜的深度，对所述稀有气体中包含的所述第一气体相对于所述第二气体的比例进行调整。

8.根据权利要求2或3所述的蚀刻处理方法，其中，

在对所述稀有气体中包含的所述第一气体与所述第二气体的比例进行控制的工序中，将以下步骤重复至少1次以上：

仅使用所述第二气体作为所述稀有气体，或者使用以所述第一气体相对于所述第二气体之比为第一比例的方式进行混合的混合气体作为所述稀有气体的步骤；以及

使用以所述第一气体相对于所述第二气体之比为高于第一比例的第二比例的方式进行混合的混合气体作为所述稀有气体，或者仅使用所述第一气体作为所述稀有气体的步骤。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的蚀刻处理方法，其中，

所述氟碳化合物气体是C₄F₆气体、C₄F₈气体、C₃F₈气体、C₆F₆气体、C₅F₈气体中的至少一者。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的蚀刻处理方法，其中，

所述含硅绝缘层由氧化硅层形成。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的蚀刻处理方法，其中，

所述基底层是导电层。