[发明专利]一种基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法

权利要求书

1. 一种基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管，包括从下而上依次设置的阳极衬底、空穴传输层、活性发光层、电子传输层、阴极修饰层和阴极电极，其特征在于：所述空穴传输层由聚(3, 4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸钠与空穴传输层修饰材料构成，所述空穴传输层修饰材料为咪唑；所述活性发光层的材质为钙钛矿；所述钙钛矿由钙钛矿前驱体制备，所述钙钛矿前驱体由基液A、基液B和调节剂构成，所述基液A为引入 1-丁基胺氢溴酸盐掺杂的CsPbBr₃ 的二亚甲砜溶液，所述基液B为(BA)₂PbBr₄的二亚甲砜溶液，其中BA为C₄H₉NH₃⁺，所述调节剂为乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺或其混合物。

2.根据权利要求1所述的基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于：基液A中，引入1-丁基胺氢溴酸盐与CsPbBr₃的摩尔比例为40～70%。

3.根据权利要求1所述的基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于：以溶质的摩尔比计，基液A∶基液B为30～100∶1。

4. 根据权利要求3所述的基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于：CsPbBr₃ 的浓度为0.10mM/ml～0.15mM/ml；(BA)₂PbBr₄的浓度为0.5mM/ml～1.0mM/ml。

5.根据权利要求1所述的基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述调节剂溶解在二甲基亚砜中，浓度为10～20μl/ml。

6.根据权利要求1所述的基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述咪唑的添加量≤6mg/ml。

7. 根据权利要求1所述的基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述活性发光层的厚度为5～100nm；电子传输层材料为2’ ,2’-(1 ,3 ,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)，厚度为30～80nm；阴极修饰层材料为氟化锂，厚度为0.5～2nm；阴极为铝或银，厚度为30～50nm。

8.权利要求1至7中任一所述基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：由下至上依次制备各层，其中，阳极衬底由氧化铟锡通过离子溅射成膜，阴极电极通过真空热蒸镀沉积，其余各层材料的分别采用旋涂、喷涂、刮涂、打印或真空热蒸镀方法制备。

9.根据权利要求8所述的基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：空穴传输层制备后进行退火处理，退火条件为空气下150℃处理15分钟，并迅速转移至纯氮气氛中进行后续操作。

10.根据权利要求8所述的基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：活性发光层的制备方法是，基液A、基液B和调节剂分别配置成溶液并搅拌均匀，将基液B与调节剂先后加入到基液A中，40℃下搅拌30分钟，获得钙钛矿前驱体，经旋涂成膜后退火处理；旋涂转速为2000～4000 rpm，时长为60～120s；退火温度为100℃，时长为1～8分钟。