[发明专利]半导体结构的处理方法及形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的处理方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底上设置有特征部，所述特征部的深宽比大于预设深宽比，所述特征部顶部设置有掩膜层；

对半导体结构进行灰化处理，所述半导体结构包括所述半导体基底、所述特征部以及所述掩膜层；

对所述半导体结构进行清洗处理；

对所述半导体结构进行干燥处理；

去除所述掩膜层；

其中，在所述干燥处理过程中，至少相邻的一组掩膜层中一所述掩膜层向相邻所述掩膜层的方向倾斜，且在所述干燥处理之后，倾斜的掩膜层与相邻掩膜层的间距小于在所述干燥处理之前二者的间距。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述对所述半导体结构进行灰化处理，包括：

采用不含氧的第一混合气体对所述半导体结构进行灰化处理。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述第一混合气体至少包括氢气和氮气。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述对所述半导体结构进行灰化处理，包括：

采用含氧的第二混合气体对所述半导体结构进行灰化处理。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述对所述半导体结构进行清洗处理，包括：

对所述半导体结构进行第一清洗处理，进行第一清洗处理之后，所述半导体结构表面形成有氧化层；

对所述半导体结构进行第二清洗处理，所述第二清洗处理用于去除所述氧化层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述对所述半导体结构进行干燥处理，包括：

采用第一温度的异丙醇对所述特征部表面进行干燥；

在对所述特征部表面进行干燥的同时，采用第二温度的去离子水对所述半导体基底底部进行干燥。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述第一温度的温度范围为60℃～80℃，所述第二温度的温度范围为60℃～80℃。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述去除所述掩膜层，包括：

向所述掩膜层提供化学气体，在第三温度下与所述掩膜层发生化学反应；

在进行所述化学反应后，在第四温度下对所述掩膜层进行热处理并同时向所述掩膜层提供载气，以蒸发去除所述掩膜层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述第三温度的温度范围为30℃～150℃；所述第四温度的温度范围为100℃～200℃。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述化学气体至少包括氨气和氟化氢，所述载气至少包括氮气或者氩气。

11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底以及位于所述半导体基底上的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体基底形成分立的特征部，所述特征部的深宽比大于预设深宽比；

对半导体结构依次进行灰化处理、清洗处理和干燥处理，所述半导体结构包括所述半导体基底、所述特征部以及所述掩膜层；

去除所述掩膜层。