[发明专利]有机发光二极管和包括其的有机发光显示设备在审
申请号: | 202010634068.0 | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN112186010A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 金成昱;金敬植;金瑟雍;內城强;裵晟洙;李东赞;郑惠仁;崔惠媛;秋昇辰;许财源 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 包括 发光 显示 设备 | ||
1.一种有机发光显示设备,包括:
设置在基板上的第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极;
下功能层,所述下功能层包括分别设置在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极上的第一下功能层、第二下功能层和第三下功能层;
分别设置在所述第一下功能层、所述第二下功能层和所述第三下功能层上的用于发射第一颜色的光的第一有机发射层、用于发射第二颜色的光的第二有机发射层和用于发射第三颜色的光的第三有机发射层;
设置在所述第一有机发射层、所述第二有机发射层和所述第三有机发射层上方的相对电极;以及
上功能层,所述上功能层包括分别设置在所述相对电极与所述第一有机发射层、所述第二有机发射层和所述第三有机发射层之间并且各自具有等于或大于且小于或等于的厚度的第一上功能层、第二上功能层和第三上功能层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第一有机发射层发射红光,并且
所述第一下功能层的厚度等于或大于且小于或等于
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第二有机发射层发射绿光,并且
所述第二下功能层的厚度等于或大于且小于或等于
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第三有机发射层发射蓝光,并且
所述第三下功能层的厚度等于或大于且小于或等于
5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,在第一像素中,所述第一有机发射层发射第一波长的光,并且所述第一像素电极的上表面和所述相对电极的下表面之间的距离与其中产生所述第一波长的所述光的第三共振的距离相同。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示设备,其中所述第一像素电极的所述上表面和所述第一有机发射层的下表面之间的距离与其中产生所述第一波长的所述光的第二共振的距离相同。
7.一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括像素,所述像素包括有机发光二极管,所述有机发光二极管各自包括:
像素电极;
设置在所述像素电极上并面向所述像素电极的相对电极;
设置在所述像素电极和所述相对电极之间并发射第一波长的光的有机发射层;
设置在所述像素电极和所述有机发射层之间的下功能层;和
设置在所述有机发射层和所述相对电极之间的上功能层,
其中所述像素电极的上表面和所述相对电极的下表面之间的距离是其中产生所述第一波长的所述光的第三共振的距离,并且
所述像素电极的所述上表面和所述有机发射层的下表面之间的距离是其中产生所述第一波长的所述光的第二共振的距离。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示设备,其中所述上功能层的厚度等于或大于且小于或等于
9.根据权利要求8所述的有机发光显示设备,其中所述有机发射层发射红光,并且
所述下功能层的厚度等于或大于且小于或等于
10.根据权利要求9所述的有机发光显示设备,其中所述上功能层的所述厚度与所述下功能层的所述厚度之比为1:1.2至1:1.4。
11.根据权利要求8所述的有机发光显示设备,其中所述有机发射层发射绿光,并且
所述下功能层的厚度等于或大于且小于或等于
12.根据权利要求11所述的有机发光显示设备,其中所述上功能层的所述厚度与所述下功能层的所述厚度之比为1:1至1:1.02。
13.根据权利要求8所述的有机发光显示设备,其中所述有机发射层发射蓝光,并且
所述下功能层的厚度等于或大于且小于或等于
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010634068.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的