[发明专利]一种富集112

说明书

本发明公开了一种富集¹¹²Cd靶的制备方法，基于硫酸盐电镀体系，采用电沉积法制备富集¹¹²Cd靶，电沉积液成分为：¹¹²Cd²⁺浓度为18‑22g/L，H⁺浓度为2‑3mol/L，C₆H₅OH浓度为4‑5g/L，C₂H₅OH体积分数为20‑30％；电沉积参数为：电流密度为2.5‑5mA/cm²，电沉积时间为18‑24h，阳极用于负载靶物质的表面具有面积为3.4㎝²的沉积区和非沉积区，所述非沉积区覆盖绝缘层。本发明通过优化电沉积液组分和电沉积参数，在低浓度下进行镉靶制备，同时核反应有效面积控制在电沉积面积内，使每个靶片的镀镉量由传统的1‑1.5g减少至0.2‑0.3g，有效减少镉的用量，极大地降低了镉靶成本，填补了国内富集¹¹²Cd靶制备的空白。

技术领域

本发明属于靶材技术领域，涉及用于产生核反应的靶材制备，具体涉及一种富集¹¹²Cd 靶的制备方法。

背景技术

¹¹¹In为加速器生产的放射性核素，物理半衰期(T_1/2＝67h)d，在衰变过程中释放出能量为 173keV、247keV的γ射线，具有放射性药物最佳的物理性质和化学性质，被认为是优良的诊疗一体化放射性核素之一。¹¹¹In能与许多有机配体形成稳定配合物，如亲肿瘤的¹¹¹In药品¹¹¹InPAMINE、¹¹¹In-OCTRETIDE和¹¹¹In标记单克隆抗体、多肽等，在医学上具有重要的应用价值。

¹¹¹In只能通过人工生产。镉(Cd)靶用于加速器生产医用同位素¹¹¹In，其核反应为^NatCd(p，xn)¹¹¹In。国内的原子能院、北京师范大学、原子高科都建立了相似的天然Cd靶制备¹¹¹In的工艺流程，但¹¹¹In的放射性核纯度最高达到96％，而依据中国《放射性药品生产管理规范》(GRP)，要求进入临床使用的放射性药品的放射化学纯度大于90％，被标记的核素的核纯度大于99％。目前国内天然Cd靶制备的¹¹¹In处于低核纯状态，其标记化合物标记率比较低，无法满足临床医用要求。

制备高纯度¹¹¹In是一个复杂的过程，辐照镉靶中¹¹¹In分离的方法、镉靶的富集程度都是¹¹¹In放射性核纯度和放化纯度的决定性因素。镉靶需要制备成平整、致密、牢固的厚靶，才能充分利用质子能量，提高同位素产率。为使沉积层达到上述要求，常规的电沉积方法大量使用络合剂、缓冲剂或含氰电沉积液。氰化物极毒，大量引入缓冲剂和络合剂增加了盐分和杂质离子。另外，靶越厚，其牢固性、致密性越差，在辐照时容易脱落，不仅造成放射性污染，而且影响同位素产率。

发明内容

针对目前富集镉靶制备的技术难点，本发明目的旨在提供一种富集¹¹²Cd靶的制备方法，可以制得表面平整、光滑、致密，厚度大于50mg/cm²的富集¹¹²Cd靶，且有效减小用镉量，极大节约成本。