[发明专利]一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法

权利要求书

1.一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将商业钕铁硼磁体沿取向力方向加工成8～12mm厚，得基础钕铁硼磁体，然后将基础钕铁硼磁体浸泡在体积浓度为3～5％的盐酸溶液中，然后在真空条件下对浸泡在盐酸溶液中的钕铁硼薄片进行超声波处理5～10min，再于120～140℃环境中干燥20～120min；步骤1中超声波处理的功率为700～800W，温度为40～50℃；

步骤2：将扩散合金片Pr₅₀Tb₂₀Cu₃₀附着在步骤1处理后的基础钕铁硼磁体的上下表面，然后放在热压炉中，对热压炉抽真空，待真空度达到1×10^-2Pa以下，对热压炉升温，当温度达到700～800℃时，开始施加压力20～30MPa，并保压7～10h，然后泄压至常压，接着又重新热压炉抽真空，待真空度达到1×10^-2Pa以下，继续升温至850～950℃，保温1～2h；

步骤3：将步骤2扩散后的试样在真空炉中于500～600℃条件下进行退火处理，再于400～450℃条件下进行退火处理，得目标产物；步骤3中在500～600℃条件下退火处理的时间为1～5h，在400～450℃条件下退火处理的时间为1～3h；

所述基础钕铁硼磁体按质量百分比计，由5.9％的Pr、23.4％的Nd、1％的Dy、0.98％的B、0.1％的Al、0.1％的Cu、0.1％的Zr和68.42％的Fe组成。

2.根据权利要求1所述的晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，其特征在于，所述扩散合金片的厚度为0.1～0.25mm。

3.一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤1：将厚度为10mm的商业钕铁硼磁体加工成5mm*10mm*10mm，得基础钕铁硼磁体，然后将基础钕铁硼磁体浸泡在体积浓度为4％的盐酸溶液中，然后在真空条件下对浸泡在盐酸溶液中的钕铁硼薄片进行超声波处理7min，再于130℃环境中干燥60min；

所述基础钕铁硼磁体的按质量百分比组成为：Pr：5.9％；Nd：23.4％；Dy：1％；B：0.98％；Al：0.1％；Cu：0.1％；Zr：0.1％及Fe：68.42％；

超声波处理的功率为750W，温度为45℃；

步骤2：将厚度为0.15mm的扩散合金片Pr₅₀Tb₂₀Cu₃₀,附着在步骤1处理后的基础钕铁硼磁体的上下表面，然后放在热压炉中，对热压炉抽真空，待真空度达到1×10^-2Pa以下，对热压炉升温，当温度达到750℃时，开始施加压力25MPa，并保压8h，然后泄压至常压，接着又重新热压炉抽真空，待真空度达到1×10^-2Pa以下，继续升温至900℃，保温1.5h；

步骤3：将步骤2扩散后的试样在真空炉中于550℃条件下进行退火处理3h，再于420℃条件下进行退火处理2h，得目标产物。