[发明专利]一种使用频率达40G+的结构稳定的超宽带电容器

权利要求书

1.一种使用频率达40G+的结构稳定的超宽带电容器，包括陶瓷主体(1)、第一外电极(2)和第二外电极(3)；所述陶瓷主体(1)包含电介质(11)、若干第一内电极(12)和若干第二内电极(13)；若干第一内电极(12)和若干第二内电极(13)均位于所述电介质(11)内；若干所述第一内电极(12)和若干所述第二内电极(13)彼此面对地交错以形成电容；

所述第一外电极(2)设置在陶瓷主体(1)的一侧表面上并电连接若干所述第一内电极(12)；所述第二外电极(3)设置在陶瓷主体(1)的另一侧表面上并电连接若干所述第二内电极(13)；其特征是：还包括第一导电环(4)、第二导电环(5)、第三内电极(14)和第四内电极(15)；

所述第三内电极(14)和第四内电极(15)均设置于所述电介质(11)内；所述第三内电极(14)连接所述第一外电极(2)并与所述第二内电极(13)形成电容；所述第三内电极(14)的面积小于所述第二内电极(13)的面积；

所述第四内电极(15)连接所述第二外电极(3)并与所述第一内电极(12)形成电容；所述第四内电极(15)的面积小于所述第一内电极(12)的面积；

所述第一导电环(4)设置于所述第一外电极(2)靠近所述第二外电极(3)的一端；所述第二导电环(5)设置于所述第二外电极(3)靠近所述第一外电极(2)的一端；所述第一导电环(4)和第二导电环(5)均设置于所述陶瓷主体(1)外表面；所述第一导电环(4)和第二导电环(5)之间设置有间隙。

2.根据权利要求1所述的使用频率达40G+的结构稳定的超宽带电容器，其特征是：还包括设置于所述电介质(11)内的第五内电极(16)和第六内电极(17)；所述第五内电极(16)连接于所述第一外电极(2)；所述第六内电极(17)连接于所述第二外电极(3)；所述第五内电极(16)和第六内电极(17)均不与其他内电极形成电容。

3.根据权利要求2所述的使用频率达40G+的结构稳定的超宽带电容器，其特征是：所述第五内电极(16)和第六内电极(17)均呈“C”字形；所述第五内电极(16)和第六内电极(17)各设置于所述陶瓷主体(1)的一端并沿所述陶瓷主体(1)的两侧向所述陶瓷主体(1)另一端延伸。

4.根据权利要求3所述的使用频率达40G+的结构稳定的超宽带电容器，其特征是：所述第一内电极(12)除连接所述第一外电极(2)外的侧边均与所述陶瓷主体(1)的侧边之间设置有第一安装间隙(18)；所述第五内电极(16)设置于所述第一安装间隙(18)；

所述第二内电极(13)除连接所述第二外电极(3)外的侧边均与所述陶瓷主体(1)的侧边之间设置有第二安装间隙(19)；所述第五内电极(16)设置于所述第二安装间隙(19)。

5.根据权利要求4所述的使用频率达40G+的结构稳定的超宽带电容器，其特征是：所述第一内电极(12)和第二内电极(13)交错堆叠；所述第一内电极(12)和第二内电极(13)堆叠方向的两端均设置有第五内电极(16)和第六内电极(17)。

6.根据权利要求1所述的使用频率达40G+的结构稳定的超宽带电容器，其特征是：所述第四内电极(15)的面积与所述第三内电极(14)的面积不同。

7.根据权利要求1所述的使用频率达40G+的结构稳定的超宽带电容器，其特征是：所述第一外电极(2)指向所述第二外电极(3)的方向为长度方向；所述第一导电环(4)和第二导电环(5)之间的间隙为电容器沿所述长度方向的长度的5％-40％。

8.根据权利要求1所述的使用频率达40G+的结构稳定的超宽带电容器，其特征是：所述第一外电极(2)包覆所述陶瓷主体(1)一端；所述第二外电极(3)包覆所述陶瓷主体(1)另一端。

9.根据权利要求8所述的使用频率达40G+的结构稳定的超宽带电容器，其特征是：所述第一导电环(4)和第二导电环(5)均包覆于所述陶瓷主体(1)外部。