[发明专利]电极的制造方法、电极、蓄电池及电子设备在审
申请号: | 202010630796.4 | 申请日: | 2015-05-29 |
公开(公告)号: | CN111710870A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 池沼达也 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01M4/62 | 分类号: | H01M4/62;H01M10/0525;H01M4/133;H01M4/04 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 制造 方法 蓄电池 电子设备 | ||
1.一种锂离子二次电池,包括:
负极;
电解质;以及
正极,其包括正极活性物质层,
其中所述正极活性物质层包括:
包括锂的多个正极活性物质粒子;
导电助剂;以及
部分脱氟化氢的聚偏氟乙烯,并且
其中,所述部分脱氟化氢的聚偏氟乙烯包括多烯结构和芳环结构中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的锂离子二次电池,
其中,所述导电助剂包括石墨烯。
3.根据权利要求1所述的锂离子二次电池,
其中,所述石墨烯与所述多个正极活性物质粒子形成面接触。
4.一种锂离子二次电池,包括:
负极;
电解质;以及
正极,其包括集流体和所述集流体上的正极活性物质层,
其中,所述集流体包括:
金属层;以及
所述金属层上的包括碳粒子的层,
其中所述正极活性物质层包括:
包括锂的多个正极活性物质粒子;以及
部分脱氟化氢的聚偏氟乙烯,并且
其中,所述部分脱氟化氢的聚偏氟乙烯包括多烯结构和芳环结构中的至少一个。
5.根据权利要求4所述的锂离子二次电池,
其中,所述层的厚度为2μm以下。
6.根据权利要求4所述的锂离子二次电池,
其中,所述正极活性物质层还包括导电助剂。
7.根据权利要求6所述的锂离子二次电池,
其中,所述导电助剂包括碳黑。
8.根据权利要求6所述的锂离子二次电池,
其中,所述导电助剂包括石墨烯。
9.根据权利要求8所述的锂离子二次电池,
其中,所述石墨烯与所述多个正极活性物质粒子形成面接触。
10.根据权利要求1或4所述的锂离子二次电池,
其中,所述多烯结构或所述芳环结构位于所述部分脱氟化氢的聚偏氟乙烯的主链中。
11.根据权利要求1或4所述的锂离子二次电池,
其中,所述多个正极活性物质粒子包括具有橄榄石型结构、层状岩盐型结构、尖晶石型结构和NASICON型结晶结构中的任一种的材料。
12.根据权利要求1或4所述的锂离子二次电池,
其中,所述多个正极活性物质粒子包括LiFeO2、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、V2O5、Cr2O5和MnO2中的任一种。
13.根据权利要求1或4所述的锂离子二次电池,
其中,所述多个正极活性物质粒子包括橄榄石型结构的含锂复合磷酸盐。
14.根据权利要求1或4所述的锂离子二次电池,
其中,所述负极包括负极活性物质,并且
其中,所述负极活性物质包括石墨、易石墨化碳、难石墨化碳、碳纳米管、石墨烯、碳黑。
15.根据权利要求1或4所述的锂离子二次电池,
其中,所述负极包括负极活性物质,并且
其中,所述负极活性物质包括Mg、Ca、Ga、Si、Al、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ag、Zn、Cd、As、Hg和In中的任一种。
16.根据权利要求1或4所述的锂离子二次电池,
其中,所述负极包括负极活性物质,并且
其中,所述负极活性物质包括SiO、Mg2Si、Mg2Ge、SnO、SnO2、Mg2Sn、SnS2、V2Sn3、FeSn2、CoSn2、Ni3Sn2、Cu6Sn5、Ag3Sn、Ag3Sb、Ni2MnSb、CeSb3、LaSn3、La3Co2Sn7、CoSb3、InSb、SbSn中的任一种。
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