[发明专利]多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线

权利要求书

1.一种多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线，其特征在于，其包括从射频信号激励端到天线辐射端逐层设置的波控供电层（7）、盖板层（6）、低频供电转接层（5）、射频层（4）、射频转接层（3）、模块腔体（2）和阵列天线层（1）；射频层（4）包括至少一层射频子层；盖板层（6）密封模块腔体（2）的开口；

所述波控供电层（7）用于获取外部电源，并向低频供电转接层（5）供电和发送数字信号；

所述低频供电转接层（5）连接于所述波控供电层（7），用于分别获取供电和数字信号，还用于分别为各射频子层和射频转接层（3）供电和传输数字信号；

各所述射频子层和所述射频转接层（3）分别连接有对应的高频连接器（44），各所述高频连接器（44）均依次贯穿波控供电层（7）、盖板层（6）和低频供电转接层（5），连接到最上层的射频子层上；位于非最上层的各射频子层和所述射频转接层（3），分别通过相应的射频垂直连接结构连接到对应的高频连接器（44）；各射频子层分别通过相应的射频垂直连接结构将预处理结果引入所述射频转接层（3），各所述射频子层和所述射频转接层（3）分别通过对应的高频连接器（44）接收对应频率的激励信号，并根据接收的数字信号对接收的激励信号进行预处理；各所述射频子层还分别通过射频垂直传输方式将对激励信号的预处理结果引入射频转接层（3）；所述射频转接层（3）还将本层对激励信号的预处理结果，以及各层射频子层引入的预处理结果，分别通过对应的射频接口传输到设置于阵列天线层（1）上对应的天线单元；

所述模块腔体（2）层内设置有散热结构。

2.如权利要求1所述的多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线，其特征在于，所述射频接口为空气同轴（34）。

3.如权利要求1所述的多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线，其特征在于，所述射频转接层（3）设置有用于预处理激励信号的多功能芯片组，所述射频转接层（3）上设置有导热结构，所述导热结构两端分别与模块腔体（2）和所述多功能芯片组中的大功率芯片接触。

4.如权利要求1所述的多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线，其特征在于，所述射频垂直连接结构由类同轴过渡接口（36）或介质波导（43）构成。

5.如权利要求4所述的多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线，其特征在于，对于传输偏低频波段的信号，对应的射频垂直连接结构由类同轴过渡接口（36）构成，对于传输偏高频波段的信号，对应的射频垂直连接结构由介质波导（43）构成。

6.如权利要求1所述的多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线，其特征在于，所述散热结构为微流道（21）。

7.如权利要求2所述的多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线，其特征在于，各所述空气同轴（34）分别通过对应的第一射频连接结构（22）和第二射频连接结构（13）连接到对应的天线单元；所述第一射频连接结构（22）设置于模块腔体（2）上，所述第一射频连接结构（22）的针头伸入对应的所述空气同轴（34）中并与所述射频转接层（3）键合；所述第二射频连接结构（13）设置于天线阵列层（1）上，所述第二射频连接结构（13）的针头连接对应的所述天线单元。

8.如权利要求1所述的多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线，其特征在于，所述低频供电转接层（5）层内设置有铜基热沉。

9.如权利要求1所述的多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线，其特征在于，各所述射频子层和所述射频转接层（3）均设置有相互对应的供电焊盘，各所述射频子层和所述射频转接层（3）的供电焊盘依次相连，最上层射频子层的供电焊盘连接到所述低频供电转接层（5），以获得供电。