[发明专利]光器件的移设方法在审
| 申请号: | 202010629777.X | 申请日: | 2020-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN112185877A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 小柳将;李宰荣 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 器件 方法 | ||
1.一种光器件的移设方法,从具有在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个光器件的光器件晶片移设多个该光器件,其特征在于,
该光器件的移设方法包含如下的步骤:
片粘贴步骤,在该基板的正面侧以覆盖多个该光器件并且模仿该光器件之间的间隙的方式粘贴片;
缓冲层破坏步骤,在实施了该片粘贴步骤之后,从该基板的背面侧照射对于该基板具有透过性并且对于该缓冲层具有吸收性的脉冲激光束,从而破坏该缓冲层;以及
光器件转印步骤,在实施了该缓冲层破坏步骤之后,将该片从该基板剥离而将多个该光器件转印到该片上。
2.根据权利要求1所述的光器件的移设方法,其特征在于,
在该片粘贴步骤中,通过热压接将该片粘贴于该基板。
3.根据权利要求1所述的光器件的移设方法,其特征在于,
该片具有树脂层和与该基板的未形成该光器件的区域对应的环状的粘接层,
在该片粘贴步骤中,以该粘接层不与该光器件接触并且该树脂层模仿该光器件之间的间隙的方式将该片粘贴于该基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





