[发明专利]一种LED芯片的制作方法

说明书

本发明提供了一种LED芯片的制作方法，通过设置复合式银/金两层结构的反射镜结构层，在后续的热处理过程中，使银金属层和金属层之间的接触面形成预设厚度的金银合金层，其中，银金属层和金金属层在不同波段均可以实现优良的反射效果，提高LED芯片的发光亮度，并且，形成的金银合金层可以提高反射镜结构层整体的物理和化学稳定特性，进而实现了一种反射率高且稳定性高的LED芯片结构。并且，由于金金属层与相邻其它层的材料连接效果不好，通过该银金属层可以进一步提高反射镜结构层的结构稳定性。

技术领域

本发明涉及四元超高亮度LED芯片技术领域，更具体地说，涉及一种LED芯片的制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种半导体二极管，其能将电能转换为光能，发出红、黄、绿、蓝等各种颜色的可见光以及红外和紫外的不可见光。

但是，目前发光二极管中反射镜结构层的反射效率较低且结构稳定性较差。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种LED芯片的制作方法，技术方案如下：

一种LED芯片的制作方法，所述制作方法包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上形成外延层；

在所述外延层背离所述第一衬底的一侧依次形成银金属层和金金属层，构成反射镜结构层；

进行热处理，以使所述银金属层和所述金金属层的接触面形成合金层；

进行衬底转移，并制作电极结构。

优选的，在上述制作方法中，所述第一衬底为GaAs衬底。

优选的，在上述制作方法中，所述在所述第一衬底上形成外延层，包括：

在所述第一衬底上依次生长N型半导体层、MQW层和P型半导体层。

优选的，在上述制作方法中，所述在所述第一衬底上形成外延层之后，所述制作方法还包括：

在所述外延层背离所述第一衬底的一侧形成氧化物层或氟化物层。

优选的，在上述制作方法中，所述氧化物层为SiO₂层或ITO层。

优选的，在上述制作方法中，所述氟化物层为氟化镁层或氟化铝层。

优选的，在上述制作方法中，所述制作方法还包括：

对所述氧化物层或所述氟化物层进行挖孔处理；

形成P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层通过所述氧化物层或所述氟化物层与所述外延层连接。

优选的，在上述制作方法中，在进行衬底转移之前，所述制作方法还包括：

在所述金金属层背离所述第一衬底的一侧依次形成金属阻障层和键合层。

优选的，在上述制作方法中，所述进行衬底转移，包括：

提供第二衬底；

将所述第二衬底与所述键合层进行键合处理；

去除所述第一衬底。

优选的，在上述制作方法中，所述第二衬底为Si衬底。

优选的，在上述制作方法中，所述制作电极结构，包括：

在所述外延层背离所述第二衬底的一侧形成N电极；

对所述第二衬底进行减薄处理，并在所述第二衬底背离所述外延层的一侧形成P电极。