[发明专利]铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片

权利要求书

1.一种铟柱焊点的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上涂敷第一光刻胶层之后，进行第一烘烤；

在所述第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层之后，进行第二烘烤；

采用掩膜覆盖所述第二光刻胶层表面的部分区域，对所述第二光刻胶层未被所述掩膜覆盖的区域进行欠曝光之后，进行第三烘烤；

对经所述欠曝光和所述第三烘烤后的所述第二光刻胶层进行显影和定影，以去除可溶解的光刻胶，在所述第二光刻胶层上形成底切结构，所述衬底带有光刻胶结构；其中，所述光刻胶结构包括所述第一光刻胶层和带有所述底切结构的第二光刻胶层；

对带有光刻胶结构的所述衬底进行泛曝光之后，进行第四烘烤；

在经所述泛曝光和所述第四烘烤之后，透过所述底切结构刻蚀所述第一光刻胶层形成图形限制层；

在所述图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料，形成铟柱焊点；

将所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层从所述衬底上剥离，得到带有所述铟柱焊点的衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述欠曝光的曝光时间小于所述第二光刻胶层充分曝光的曝光时间。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二光刻胶层进行显影的显影时间t1，大于所述第二光刻胶层在充分曝光条件下的显影时间t2。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，t1≥t2+15秒。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用于对所述第二光刻胶层进行显影的显影液，与所述第一光刻胶层不发生反应。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料，形成铟柱焊点，包括：

采用蒸发方法在带有所述底切结构的第二光刻胶层上和暴露的衬底上沉积铟材料，在所述图形限制层的定义图形位置处形成所述铟柱焊点。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层从所述衬底上剥离，得到带有所述铟柱焊点的衬底，包括：

将沉积所述铟柱焊点的衬底置于胶剥离液中，在20～80℃的温度下，将所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层从所述衬底上剥离，得到带有所述铟柱焊点的衬底。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀包括以下至少一种：物理刻蚀、化学刻蚀。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为单层胶，或者，所述第一光刻胶层包括多层胶。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二光刻胶为反转胶或负胶。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一烘烤为所述第一光刻胶层的软烘烤温度；

所述第二烘烤为所述第二光刻胶层的软烘烤温度；

所述第三烘烤为所述第二光刻胶层的前烘烤温度；

所述第四烘烤包括依次以所述第二光刻胶层的前烘烤温度和坚膜温度进行烘烤。

12.一种芯片衬底，其特征在于，所述芯片衬底上带有铟柱焊点，所述铟柱焊点是采用如权利要求1至11任一项所述方法制备得到的。

13.一种芯片，其特征在于，所述芯片的衬底上带有铟柱焊点，所述铟柱焊点是采用如权利要求1至11任一项所述方法制备得到的。

14.根据权利要求13所述的芯片，其特征在于，所述芯片为量子芯片。

15.一种焊点制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上涂敷第一光刻胶层；

在所述第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层；

采用掩膜覆盖所述第二光刻胶层表面的部分区域，对所述第二光刻胶层未被所述掩膜覆盖的区域进行欠曝光；

对经所述欠曝光后的所述第二光刻胶层进行显影和定影，以去除可溶解的光刻胶，在所述第二光刻胶层上形成底切结构，所述衬底带有光刻胶结构；其中，所述光刻胶结构包括所述第一光刻胶层和带有所述底切结构的第二光刻胶层；

对带有光刻胶结构的所述衬底进行泛曝光；

在经所述泛曝光之后，透过所述底切结构刻蚀所述第一光刻胶层形成图形限制层；

在所述图形限制层的定义图形位置处沉积材料形成焊点；

将所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层从所述衬底上剥离，得到带有所述焊点的衬底。