[发明专利]一种衬底处理方法

说明书

本申请实施例提供一种衬底处理方法，所述衬底处理方法包括：提供半导体衬底置于反应室中；通入保护气体，在第一预设温度下，对所述半导体衬底进行烘烤；通入刻蚀气体，刻蚀所述半导体衬底表面的氧化层；停止通入所述刻蚀气体，通入所述保护气体，持续1‑30分钟。本申请实现了有效去除衬底表面的氧化层及杂质。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种衬底处理方法。

背景技术

在采用MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉积)、MBE(Molecular beam epitaxy，分子束外延)等方法在衬底上进行外延生长之前，一般要先清除衬底表面的氧化层及其他残余杂质，否则会影响后续材料的生长质量，并最终导致制成器件的性能降低。

目前，通常采用对衬底进行高温处理的方式，来去除衬底表面的氧化层及表面粘附的杂质。但是，由于不同厂家制备的衬底表面的氧化层厚度及沾污的杂质不尽相同，并且即使是来自同一厂家的衬底，放置时间长短不同，其表面的氧化层厚度及沾污的杂质含量也不相同，因此高温处理无法保证彻底清除氧化层及杂质，同时还可能损伤衬底。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种衬底处理方法，用以实现有效去除衬底表面的氧化层及杂质。

本申请实施例第一方面提供了一种衬底处理方法，包括：提供半导体衬底置于反应室中；通入保护气体，在第一预设温度下，对所述半导体衬底进行烘烤；通入刻蚀气体，刻蚀所述半导体衬底表面的氧化层；停止通入所述刻蚀气体，通入所述保护气体，持续1-30分钟。

于一实施例中，所述通入保护气体，在第一预设温度下，对所述半导体衬底进行烘烤，包括：升高所述反应室的温度；所述反应室的温度达到第二预设温度时，通入保护气体；继续升高所述反应室的温度到第一预设温度，烘烤2至30分钟。

于一实施例中，所述第一预设温度的范围为600℃至850℃，所述第二预设温度的范围为300℃至550℃。

于一实施例中，所述半导体衬底为InP衬底，所述保护气体包括磷烷和氢气。

于一实施例中，所述半导体衬底为GaAs衬底，所述保护气体包括砷源和氢气。

于一实施例中，所述砷源为As、AsH₃、TBAs中的一种或多种。

于一实施例中，所述刻蚀气体为CBr₄、CCl₄、氯气、氯化氢中的一种或多种。

于一实施例中，所述刻蚀气体的流量为10sccm至1000sccm，纯度为10％至100％。

于一实施例中，所述刻蚀气体的刻蚀速率为0.5nm/min至500nm/min。

于一实施例中，所述反应室内的压力为30毫巴至1000毫巴。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请一实施例的半导体衬底的结构示意图；

图2为本申请一实施例的衬底处理方法的流程示意图；

图3为本申请另一实施例的衬底处理方法的流程示意图；

图4为本申请另一实施例的衬底处理方法的流程示意图；

图5为本申请另一实施例的衬底处理方法的流程示意图。