[发明专利]显示基板和显示装置在审
| 申请号: | 202010623663.4 | 申请日: | 2020-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN113871420A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
| 发明(设计)人: | 刘聪;黄耀;蔡建畅;程羽雕;吴超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板,具有用于显示的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,包括:
衬底基板;
显示区,设置在所述衬底基板上,包括第一显示区和至少部分围绕第一显示区的第二显示区,其中,所述第一显示区允许来自所述显示基板的第一侧的光至少部分透射至所述显示基板的第二侧以用于感测,所述第一显示区包括间隔排列的多个像素单元组,所述多个像素单元组每个包括多个第一像素单元,所述多个第一像素单元的每个包括像素区和开口区;
多条第一电源线,位于所述像素区,且配置为与所述多个像素单元组连接以向所述多个像素单元组提供第一电源电压;
遮挡层,设置在所述衬底基板上,且位于所述第一电源线靠近所述衬底基板的一侧,包括镂空区和遮挡区;
其中,对于一个像素单元组,所述各个第一像素单元的开口区与所述遮挡层的遮挡区至少部分重叠,
所述至少一个第一像素单元的开口区包括第一遮挡连接部,与所述遮挡层的遮挡区至少部分重叠,且所述遮挡层通过所述第一遮挡连接部和所述多条第一电源线中的至少一条第一电源线连接以接收所述第一电源电压;
所述多条第一电源线位于所述第一遮挡连接部远离所述衬底基板的一侧,所述遮挡层位于所述第一遮挡连接部靠近所述衬底基板的一侧,所述第一遮挡连接部位于所述遮挡层和所述多条第一电源线之间。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述遮挡层通过第一过孔与所述第一遮挡连接部连接,所述第一遮挡连接部通过第二过孔与所述至少一条第一电源线连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,其中,所述第一绝缘层位于所述遮挡层和所述第一遮挡连接部之间,
所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层和所述第一遮挡层连接部之间,所述第三绝缘层位于所述第一遮挡连接部和所述多条第一电源线之间;或者,所述第二绝缘层位于所述第一遮挡连接部和所述多条第一电源线之间,所述第三绝缘层位于所述第二绝缘层和所述多条第一电源线之间,
所述遮挡层通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述第一遮挡连接部连接,所述第一遮挡连接部通过贯穿所述第二绝缘层和第三绝缘层的第二过孔与所述至少一条第一电源线连接;或者,所述遮挡层通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔与所述第一遮挡连接部连接,所述第一遮挡连接部通过贯穿所述第三绝缘层的第二过孔与所述至少一条第一电源线连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述第一过孔和所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影不重叠;
所述第一电源线包括突出部,所述第二过孔在所述衬底基板的正投影与所述突出部在所述衬底基板的正投影重叠,所述第一过孔在所述衬底基板的正投影与所述第一电源线在所述衬底基板上的正投影重叠。
5.根据权利要求1-4任一所述的显示基板,其中,相邻像素单元组之间通过走线连接,所述多个像素单元组和所述走线在所述衬底基板上的正投影落入所述遮挡层的遮挡区在所述衬底基板上的正投影内。
6.根据权利要求1-4任一所述的显示基板,其中,所述第二显示区包括阵列排布的多个第二像素单元和多条第二电源线,所述多个第二像素单元的每个包括像素区和开口区;
所述多条第二电源线配置为与所述多个第二像素单元连接以向所述多个第二像素单元提供第二电源电压,所述第二电源电压和所述第一电源电压相同;
其中,对于一个第二像素单元,所述各个第二像素单元的开口区与所述遮挡层的遮挡区至少部分重叠,
所述至少一个第二像素单元的开口区包括第二遮挡连接部,所述第二遮挡连接部与所述遮挡层的遮挡区至少部分重叠。
7.根据权利要求1-4任一所述的显示基板,其中,所述第二显示区在所述衬底基板上的正投影落入所述遮挡层的遮挡区在所述衬底基板上的正投影内。
8.根据权利要求1-4任一所述的显示基板,其中,所述多个第一像素单元和所述多个第二像素单元的每个包括像素驱动电路和发光器件,所述像素驱动电路配置为驱动所述发光器件发光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





