[发明专利]集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法

说明书

本申请案涉及集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括多个水平排列成二维2D网格的特征。所述2D网格包括具有四个网格点并且在成对的所述四个网格点之间具有四个直线侧边的平行四边形单位单元。所述平行四边形单位单元具有横跨在所述四个网格点中的两个对角线上对置的网格点之间的直线对角线。所述直线对角线比所述四个直线侧边中的每一个都要长。所述各个特征处于所述四个网格点中的一个处并且沿着相对于所述四个直线侧边中的每一个水平地成角度的方向占据水平拉长的最大水平区域。还公开其它实施例，包含方法实施例。

技术领域

本文中所公开的实施例涉及集成电路、集成电路的电容器阵列，以及用于制造集成电路的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造于各个存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称作字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。数字线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，并且字线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。可通过数字线和字线的组合对每个存储器单元进行唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。通常将非易失性存储器指定为具有至少约10年保留时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短保留时间。无论如何，存储器单元被配置成以至少两个不同的可选状态保留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可被配置成存储多于两个层级或状态的信息。

场效应晶体管是一种类型的可用于存储器单元中的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述一对导电源极/漏极区在其间具有半导电沟道区。导电栅极与沟道区相邻且通过薄的栅极绝缘体与所述沟道区分隔。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一个区流动到另一个区。当从栅极移除电压时，很大程度上阻止了电流流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可以可逆方式编程的电荷存储区。

电容器是可用于存储器单元中的另一类型的电子组件。电容器具有由电绝缘材料隔开的两个电导体。能量如电场可以静电方式存储在此类材料内。取决于绝缘体材料的组成，所述存储的场将是易失性的或非易失性的。举例来说，仅包含SiO₂的电容器绝缘体材料将是易失性的。一种类型的非易失性电容器是铁电电容器，所述铁电电容器具有铁电材料作为绝缘材料的至少部分。铁电材料的特征在于具有两个稳定极化状态且由此可包括电容器和/或存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态可通过施加合适的编程电压而发生改变，且在移除编程电压之后保持(至少持续一定时间)。每一极化状态具有彼此不同的存储电荷的电容，所述存储电荷的电容理想地可用于写入(即，存储)和读取存储器状态，且在期望逆转所述极化状态之前不会进行此逆转。不太期望地，在具有铁电电容器的某一存储器中，读取存储器状态的行为可以逆转极化。因此，在确定极化状态后，进行对存储器单元的重写以紧接在其确定之后将存储器单元置于预读取状态中。无论如何，由于形成电容器的部分的铁电材料的双稳态特性，因此并入有铁电电容器的存储器单元理想地是非易失性的。其它可编程材料可用作电容器绝缘体以使电容器为非易失性的。无论如何，电容器的制造中的典型目标是最大化电容器电极的表面区域以最大化个体电容器的电容。

当然，电容器和晶体管也可在除存储器电路之外的集成电路中使用。

发明内容