[发明专利]一种多裸片硅堆叠互连结构FPGA有效
| 申请号: | 202010622799.3 | 申请日: | 2020-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN111710663B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 徐彦峰;单悦尔;范继聪;陈波寅;闫华 | 申请(专利权)人: | 无锡中微亿芯有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L25/16;H01L25/18;H01L23/535 |
| 代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 过顾佳;聂启新 |
| 地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多裸片硅 堆叠 互连 结构 fpga | ||
1.一种多裸片硅堆叠互连结构FPGA,其特征在于,所述多裸片硅堆叠互连结构FPGA包括基板、层叠设置在所述基板上的硅连接层以及层叠设置在所述硅连接层上的若干个FPGA裸片,若干个FPGA裸片按照二维堆叠方式排布在所述硅连接层上,所述硅连接层覆盖所有的FPGA裸片;
每个FPGA裸片内包括若干个可配置功能模块、环于各个可配置功能模块分布的互连资源模块、以及连接点引出端,所述FPGA裸片内的可配置功能模块至少包括可编程逻辑单元、硅堆叠连接模块和输入输出端口,所述硅堆叠连接模块内包括若干个硅堆叠连接点,所述FPGA裸片内的可编程逻辑单元分别与硅堆叠连接点和输入输出端口通过互连资源模块相连,所述FPGA裸片内的硅堆叠连接点通过重布线层内的连接线与相应的连接点引出端相连;每个FPGA裸片中的连接点引出端通过所述硅连接层内的跨裸片连线与其他FPGA裸片中相应的连接点引出端相连,每个FPGA裸片可通过所述硅连接层内的跨裸片连线与其他任意一个FPGA裸片相连;连通各个FPGA裸片的跨裸片连线在所述硅连接层内沿着第一方向和第二方向交叉布置,所述第一方向和所述第二方向在水平方向上相互垂直;FPGA裸片内的输入输出端口通过所述硅连接层上的硅通孔连接至所述基板。
2.根据权利要求1所述的多裸片硅堆叠互连结构FPGA,其特征在于,所述硅堆叠连接模块直接与所述互连资源模块中的互连开关相连,硅堆叠连接模块与互连开关之间全互连或部分互连。
3.根据权利要求1所述的多裸片硅堆叠互连结构FPGA,其特征在于,所述FPGA裸片内的可配置功能模块还包括其他功能模块,所述其他功能模块包括DSP模块和/或BRAM模块,所述其他功能模块分别与硅堆叠连接点和输入输出端口通过互连资源模块相连,可编程逻辑单元、硅堆叠连接模块和其他功能模块排布形成二维阵列,硅堆叠连接模块设置在可编程逻辑单元所在的行列结构中以及其他功能模块所在的行列结构中。
4.根据权利要求3所述的多裸片硅堆叠互连结构FPGA,其特征在于,硅堆叠连接模块的尺寸小于其他功能模块的尺寸,其他功能模块所在的行列结构在硅堆叠连接模块处形成留空区域,所述留空区域处设置电容、测试电路、降噪电路和监控电路中的至少一种。
5.根据权利要求1-4任一所述的多裸片硅堆叠互连结构FPGA,其特征在于,每个FPGA裸片中的连接点引出端沿着所述第一方向和第二方向按行列结构布设,每个FPGA裸片中沿着所述第一方向布设有若干行连接点引出端,和/或,沿着所述第二方向布设有若干列连接点引出端。
6.根据权利要求5所述的多裸片硅堆叠互连结构FPGA,其特征在于,所述每个FPGA裸片中沿着所述第一方向布设有若干行连接点引出端,包括:
每个FPGA裸片中沿着所述第一方向按相同的间隔均匀布设有若干行连接点引出端;或者,每个FPGA裸片中沿着所述第一方向随机布设有若干行连接点引出端。
7.根据权利要求1-4任一所述的多裸片硅堆叠互连结构FPGA,其特征在于,连通各个FPGA裸片的跨裸片连线在所述硅连接层内分层布置。
8.根据权利要求1-4任一所述的多裸片硅堆叠互连结构FPGA,其特征在于,FPGA裸片内的输入输出端口还通过重布线层内的连接线与相应的连接点引出端相连。
9.根据权利要求1-4任一所述的多裸片硅堆叠互连结构FPGA,其特征在于,若干个FPGA裸片根据各个FPGA裸片的形状和面积排布在所述硅连接层上。
10.根据权利要求1-4任一所述的多裸片硅堆叠互连结构FPGA,其特征在于,所述多裸片硅堆叠互连结构FPGA还包括其他裸片,所述其他裸片层叠设置在所述硅连接层上,FPGA裸片中的连接点引出端通过所述硅连接层内的跨裸片连线与所述其他裸片中相应的连接点引出端相连;其中:
至少一个其他裸片为处理器芯片,所述处理器芯片包括Processor芯片,Processor芯片是ARM芯片或RISC-V芯片;
和/或,至少一个其他裸片为DSP芯片;
和/或,至少一个其他裸片为AI芯片;
和/或,至少一个其他裸片为存储芯片,所述存储芯片包括SRAM、DRAM、ROM、FLASH、MRAM和RRAM中的至少一种;
和/或,至少一个其他裸片为数据转换芯片,所述数据转换芯片包括模数转换芯片和数模转换芯片中的至少一种;
和/或,至少一个其他裸片为射频芯片;
和/或,至少一个其他裸片包含HBM、RAMBUS或NOC接口;
和/或,至少一个其他裸片包含PCIE、Ethernet MAC、XUAI、SONET/SDH或INTERLAKEN接口。
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