[发明专利]新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法

权利要求书

1.一种新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，包括：

主体腔；

位于所述主体腔内的上电极和下电极，所述上电极和下电极相对设置，所述上电极和下电极施加的射频频率相同,所述上电极和下电极之间的电位幅值差小于等于第一阈值，所述上电极和下电极之间的电位相位差小于等于第二阈值；

侧面电极连接件，所述侧面电极连接件具有第一位置状态和第二位置状态,所述侧面电极连接件在第一位置状态下环绕所述上电极和下电极的侧部，所述侧面电极连接件在第二位置状态下环绕所述上电极的侧部或者下电极的侧部；

所述上电极和下电极与所述侧面电极连接件之间电压差用于等离子体放电。

2.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：与所述侧面电极连接件连接的调节件，所述调节件适于调节所述侧面电极连接件的位置并使侧面电极连接件能在第一位置状态和第二位置状态之间切换。

3.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述侧面电极连接件接地线。

4.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：电容，所述侧面电极连接件与所述电容的一端连接，所述电容的另一端接地，所述电容的电容值大于等于电容阈值。

5.根据权利要求4所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述电容阈值为100pF。

6.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：位于所述主体腔内且位于所述下电极的部分上表面的下介质隔离层,所述下介质隔离层的侧边缘相对于所述下电极的侧边缘凹进;所述主体腔内且位于所述上电极的部分下表面的上介质隔离层，所述上介质隔离层的侧边缘相对于所述上电极的侧边缘凹进。

7.根据权利要求6所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述下介质隔离层和所述上介质隔离层的材料包括陶瓷或者石英或者低介电常数材料。

8.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括:覆盖所述上电极侧壁的上射频隔离环；覆盖所述下电极侧壁的下射频隔离环。

9.根据权利要求8所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述侧面电极连接件中设置有多个相互间隔的抽气通道；所述上射频隔离环、下射频隔离环、侧面电极连接件围成的区域为等离子体区域；所述抽气通道的尺寸被设计成等离子体区域的带电粒子在离开所述抽气通道时移动的最小距离大于所述带电粒子的平均自由程。

10.根据权利要求8所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述上电极与所述下电极之间、以及所述上射频隔离环和所述下射频隔离环之间用于容纳晶圆；所述晶圆的上表面至上电极的下表面之间的距离适于在晶圆边缘被刻蚀时保持0.1毫米至10毫米。

11.根据权利要求8所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述上射频隔离环朝向下射频隔离环的表面呈现斜面，所述下射频隔离环朝向上射频隔离环的表面呈现斜面；自下射频隔离环至下电极的水平方向，所述上射频隔离环至所述下射频隔离环之间的间距减小。

12.根据权利要求8或11所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述侧面电极连接件为U型结构，所述侧面电极连接件中具有凹槽，所述凹槽朝向所述上射频隔离环和下射频隔离环之间的区域。

13.根据权利要求8所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述侧面电极连接件在第一位置状态下与所述上射频隔离环的侧部和下射频隔离环的侧部接触；所述侧面电极连接件在第二位置状态下与所述上射频隔离环的侧部接触或与所述下射频隔离环的侧部接触。