[发明专利]显示设备

说明书

公开一种显示设备。所述显示设备包括：设置在器件基板上的氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案包括设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域；与所述氧化物半导体图案的沟道区域交叠的栅极，所述栅极具有叠置有第一氢阻挡层和栅极导电层的结构；以及设置在所述氧化物半导体图案和所述栅极之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜暴露所述氧化物半导体图案的源极区域和漏极区域，其中所述栅极暴露所述栅极绝缘膜的与所述源极区域邻近的一部分以及所述栅极绝缘膜的与所述漏极区域邻近的一部分。

本申请要求享有于2019年7月4日提交的韩国专利申请No.10-2019-0080636以及2019年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2019-0180098的优先权，通过引用将上述专利申请并入本申请，如同在本申请中被完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种显示设备，其中薄膜晶体管包括氧化物半导体图案。

背景技术

通常，诸如监视器、TV、便携式电脑和数码相机之类的电子设备包括用于实现图像的显示设备。例如，显示设备可包括具有液晶的液晶显示设备和具有发光层的电致发光显示设备。

显示设备可包括多个像素。每个像素可发射具体颜色的光。用于根据栅极信号和数据信号产生驱动电流的驱动电路可设置在每个像素中。例如，驱动电路可包括至少一个薄膜晶体管。

薄膜晶体管可包括半导体图案、栅极绝缘膜、栅极、源极和漏极。半导体图案可包括设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域。栅极绝缘膜和栅极可依次叠置在半导体图案的沟道区域上。例如，可通过采用栅极作为掩模的蚀刻工艺来形成栅极绝缘膜。

半导体图案可包括氧化物半导体。例如，由栅极绝缘膜和栅极暴露的半导体图案的源极区域和漏极区域可以是通过形成栅极绝缘膜的工艺而导体化(conductorized)的区域。但是，在显示设备中，构成半导体图案的氧化物半导体的一部分可在形成栅极绝缘膜的工艺中沉积在栅极绝缘膜的侧表面上。沉积在栅极绝缘膜的侧表面上的氧化物半导体可导致半导体图案与栅极之间的电短路。也就是说，在显示设备中，薄膜晶体管的特性在形成栅极绝缘膜的工艺中可劣化。

发明内容

因此，本发明旨在提出一种基本上避免了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或多个问题的显示设备。

本发明的一个目的是提供一种显示设备，用于防止薄膜晶体管的特性由于形成栅极绝缘膜的工艺而劣化。

本发明的另一个目的是提供一种显示设备，用于防止由于形成栅极绝缘膜的工艺而在氧化物半导体图案与栅极之间出现电短路。

然而，本发明要实现的目的不限于上述目的，未提及的其他目的对于所属领域技术人员来说根据下文内容将清楚地理解到。

根据本发明示例性实施方式的显示设备可包括：设置在器件基板上的氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案可包括设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域；与所述氧化物半导体图案的沟道区域交叠的栅极，所述栅极可具有第一氢阻挡层和栅极导电层的叠置结构；以及设置在所述氧化物半导体图案和所述栅极之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜可暴露所述氧化物半导体图案的源极区域和漏极区域，其中所述栅极可暴露所述栅极绝缘膜的与所述源极区域邻近的一部分以及所述栅极绝缘膜的与所述漏极区域邻近的一部分。

根据本发明示例性实施方式的显示设备可包括：设置在器件基板上的氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案包括在第一方向上并排地布置的源极区域、沟道区域和漏极区域；设置在所述氧化物半导体图案的沟道区域上的栅极绝缘膜；以及设置在所述栅极绝缘膜上的栅极，所述栅极在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中所述栅极可包括氢阻挡层和栅极导电层的叠置结构，其中所述栅极在所述第一方向上的长度可短于所述栅极绝缘膜在所述第一方向上的长度。