[发明专利]一种基于激光烧结的铝电解电容器的正极箔的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010616291.2 申请日: 2020-07-01
公开(公告)号: CN111804920A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 胡少强;贾明;杨静如;张茂贵;潘振炎 申请(专利权)人: 益阳艾华富贤电子有限公司
主分类号: B22F7/04 分类号: B22F7/04;B22F3/105;B22F3/24;B22F5/00;C25D11/08;C25D11/10;H01G9/045;H01G9/052
代理公司: 北京成实知识产权代理有限公司 11724 代理人: 康宁宁
地址: 413000 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 激光 烧结 铝电解电容器 正极 制备 方法
【说明书】:

一种基于激光烧结的铝电解电容器的正极箔的制备方法,包括以下步骤,1)将铝粉或者铝合金粉颗粒轧制在铝箔基体上;2)用激光扫描的方式将铝粉烧结在铝箔基体上,在铝箔基体上激光照射地方的温度在660‑680摄氏度之间,激光照射的速度为0.5‑5cm/秒。在本发明中,采用激光烧结的方式将铝粉或者铝合金粉烧结在铝箔基体上,因为激光打在铝粉或者铝合金粉上的功率是可以调节的,所以可以在用激光烧结的时候将激光的功率调节到最合适的状态,故烧结出来的铝箔的质量是非常高的,并且激光的烧结时间调整也是非常方便的,并且烧结的效果可以非常直观和迅速的反应出来。

技术领域

本发明涉及一种铝电解电容器,尤其涉及一种基于激光烧结的铝电解电容器的正极箔的制备方法。

背景技术

铝电解电容器的阳极箔一般采用的腐蚀箔,个别的产品采用烧结箔,但是烧结制作而成的阳极箔的技术掌握在日本企业手中,在国内还是处于起步阶段,要想或者合格的产品就得去购买日本的产品;给国内的企业付出相当大的代价。例如日本东洋铝株式会社最早在2008年在国内申请的专利,专利号200880128783.4,用于铝电解电容器的电极材料和制造该电极材料的方法。这种在铝箔基体上烧结膜的方式制作出来的阳极箔具有高的静电容量。

然而在制作过程中发现,在烧结的时候温度和时间非常难以控制,铝的熔点在660摄氏度,温度过高或者时间过长则烧结时候铝粉或者铝合金粉迅速的融化,使得铝粉或者铝合金粉“结饼”,也就是铝粉或者铝合金粉烧结后失去了空隙,然而烧结的温度过低或者时间过短,就会出现“成粉”的现象,也就是粉末没有烧结到一起甚至出现掉粉的现象。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种烧结均匀,并且烧结质量好的基于激光烧结的铝电解电容器的正极箔的制备方法。

为解决上述技术问题,本发明提出的技术方案为:一种基于激光烧结的铝电解电容器的正极箔的制备方法,包括以下步骤,1)将铝粉或者铝合金粉颗粒轧制在铝箔基体上;

2)用激光扫描的方式将铝粉烧结在铝箔基体上,在铝箔基体上激光照射地方的温度在660-680摄氏度之间,激光照射的速度为0.5-5cm/秒。

上述的基于激光烧结的铝电解电容器的正极箔的制备方法,优选的,在步骤2)中激光烧结的时候采用两个激光发生器进行扫描,铝粉或者铝合金粉末轧制后,由其中一个激光发生器采用低功率对铝粉或者铝合金粉末扫描预热,然后由另一个激光发生器采用高功率进行激光扫描烧结,且两个激光器同时进行扫描,采用低功率的激光发生器位于扫描路径的前端,采用高功率的激光发生器紧随其后;所述低功率激光发生器打在铝粉或者铝合金粉末上的时候温度为150-350摄氏度,所述高功率激光发生器打在铝粉或者铝合金粉末上的时候温度为660-680摄氏度。

上述的基于激光烧结的铝电解电容器的正极箔的制备方法,优选的,所述步骤2)之后还包括步骤3),所述步骤3)为给步骤2)烧结后的铝箔基体进行热处理,所述热处理的温度为150-350摄氏度,时间为30-80分钟。

上述的基于激光烧结的铝电解电容器的正极箔的制备方法,优选的,所述步骤3)之后还包括步骤4),步骤4)为将步骤3)的阳极箔放入到纯水中,煮沸5-20min;维持水在60摄氏度以上用超声振荡1-12h。

上述的基于激光烧结的铝电解电容器的正极箔的制备方法,优选的,步骤5),将所述将步骤4)处理后的阳极箔在磷酸溶液中浸泡30秒-3min;所述磷酸溶液浓度在0.5%-3%之间;6)化成,将步骤5)完成烧结的阳极箔,在化成液中进行化成,化成的电流为3A/dm2-6A/dm2,时间为5min-20min;所述化成液包括硼酸体系化成液、草酸体系化成液和磷酸体系化成液中的一种或者草酸体系和磷酸体系组成的混合化成液;在硼酸体系中,化成电压为200-500V,在草酸体系中化成电压为30-80V,磷酸体系的化成电压为10-60V,混合化成液的化成电压为30-60V。

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