[发明专利]一种改善电子束直写曝光邻近效应的方法

权利要求书

1.一种改善电子束直写曝光邻近效应的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)对设计的初始版图进行处理，根据电子束曝光的剂量经验对同一步直写曝光的版图图层进行分层，相同剂量的列为一层，每个图形分割为3个图层，对于相邻的图形则分为两组单独的3个图层；

2)在衬底材料上依次涂覆黏附剂、电子束光刻胶和导电胶；

3)采用分层处理的版图进行电子束直写程序编制，并进行直写曝光；

4)利用显影制备出电子束胶的掩膜图形，实现图形的精确加工。

2.根据权利要求1所述的改善电子束直写曝光邻近效应的方法，其特征在于，所述的图层分割采用布尔运算的方法，每组3个图层的线宽渐进，最外侧的线宽最小，中间的其次，最里面的最大。

3.根据权利要求2所述的改善电子束直写曝光邻近效应的方法，其特征在于，最外侧图层的线宽为50-100纳米，中间图层的线宽为100-200纳米，内侧图层为线宽最大的图层。

4.根据权利要求1、2或3所述的改善电子束直写曝光邻近效应的方法，其特征在于，相邻图形的6个图层在同一步直写曝光，依次直写曝光，曝光剂量不同，最外侧图层的曝光剂量最大，中间的其次，最里面的剂量最小。

5.根据权利要求1所述的改善电子束直写曝光邻近效应的方法，其特征在于，所述的黏附剂采用HMDS或者AR 300-80。

6.根据权利要求1所述的改善电子束直写曝光邻近效应的方法，其特征在于，所述的电子束光刻胶采用ZEP 520A、UV135、AR-P 6200、PMMA、AR-N 7520或HSQ。

7.根据权利要求1所述的改善电子束直写曝光邻近效应的方法，其特征在于，所述的导电胶采用AR-PC 5090或者AR-PC 5091。