[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，设定有单元部及包围所述单元部的终端部，所述半导体装置具备：

第一电极；

第一导电型的第一半导体层，形成于比所述第一电极靠上的位置；

第二导电型的第二半导体层，设置于所述第一半导体层的上部，沿着上下方向的杂质浓度分布具有多个峰值；以及

绝缘层，设置于所述第二半导体层之上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第二半导体层具有：

在上下方向上排列的两个鼓出部；以及

设置于所述两个鼓出部之间的缩颈部。

3.一种半导体装置，设定有单元部及包围所述单元部的终端部，所述半导体装置具备：

第一电极；

第一导电型的第一半导体层，形成于比所述第一电极靠上的位置；

第二半导体层，设置于所述第一半导体层的上部，包括多个第二导电型的部分半导体层，所述多个第二导电型的部分半导体层在上下方向上分离、且在间隙中夹设有所述第一半导体层；以及

绝缘层，设置于所述第二半导体层之上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一半导体层内包所述第二半导体层。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，还具备：

第二电极，形成于所述绝缘层上；以及

接触件，将所述第二电极和所述第二半导体层连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

还具备绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述接触件，

所述接触件通过所述绝缘膜而与所述第一半导体层绝缘。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

还具备第二导电型的半导体层，所述第二导电型的半导体层覆盖所述接触件、且杂质浓度比所述第二半导体层高，

所述半导体层夹设于所述接触件与所述第一半导体层之间。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

还具备金属膜，所述金属膜覆盖所述接触件、且包含从由铝、钽、银、钼、钨、钴、铬、钌、金、钯、镍及铂组成的组中选择的一种以上的金属，

所述金属膜夹设于所述接触件与所述第一半导体层之间。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述单元部还具备：

栅极电极，形成于所述绝缘层之下；

发射极电极，与所述栅极电极分离；以及

绝缘膜，夹设于所述栅极电极与所述第一半导体层之间。

10.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

还具备第二导电型的第三半导体层，所述第二导电型的第三半导体层配置于所述第二半导体层的与所述单元部相反的一侧、且杂质浓度比所述第二半导体层的杂质浓度低。