[发明专利]化合物以及包括其的膜、光电二极管、有机传感器和电子设备在审
申请号: | 202010613775.1 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN112778341A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 朴范雨;金煌奭;权宁千;李东宣;林东晰;权五逵;李光熙;崔伦硕;崔惠成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C07F5/02 | 分类号: | C07F5/02;C07F7/10;H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲;王华芹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化合物 以及 包括 光电二极管 有机 传感器 电子设备 | ||
1.由化学式1表示的化合物:
化学式1
其中,在化学式1中,
Ar1和Ar2独立地为
取代或未取代的苯;
取代或未取代的包括至少一个N、O、S、Se、Te、或其组合的杂环;
具有取代或未取代的苯,取代或未取代的包括至少一个N、O、S、Se、Te、或其组合的杂环,或其组合的两个或更多个的稠环;或
其组合,
Z为N或CRa,其中Ra为取代或未取代的包括至少一个氮的杂环基团、C1-C30卤代烷基、C6-C30卤代芳基、卤素、或氰基,
L1和L2独立地为单键、取代或未取代的C6-C30亚芳基、二价的取代或未取代的C3-C30杂环基团、或其组合,
R1为取代或未取代的C3-C30杂环基团或NRbRc,其中Rb和Rc独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、卤素、或其组合,且Rb和Rc独立地存在或彼此连接以形成环,
R2为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的甲硅烷基、卤素、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基团、或NRdRe,其中Rd和Re独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、卤素、或其组合,且Rd和Re独立地存在或彼此连接以形成环,
R3和R4独立地为取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基团、或其组合,以及
R5和R6在一起为氧(=O)、硫(=S)、硒(=Se)、或碲(=Te),或者R5和R6独立地为取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基团、卤素、氰基、或其组合。
2.如权利要求1所述的化合物,其中Ar1和Ar2独立地为取代或未取代的苯,取代或未取代的噻吩,取代或未取代的呋喃,取代或未取代的硒吩,取代或未取代的碲吩,或具有取代或未取代的苯、取代或未取代的噻吩、取代或未取代的呋喃、取代或未取代的硒吩、取代或未取代的碲吩、或其组合的两个或更多个的稠环,或其组合。
3.如权利要求1所述的化合物,其中Z为N或CRa,其中Ra为取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的三唑基、CH2F、CHF2、CF3、F、或CN。
4.如权利要求1所述的化合物,其中L1和L2独立地为单键;取代或未取代的亚苯基;取代或未取代的亚联苯基;取代或未取代的亚萘基;取代或未取代的亚三联苯基;二价的取代或未取代的包括至少一个O、S、Se、Te、N、Si、或其组合的C3-C30杂环基团;取代或未取代的亚苯基,取代或未取代的亚联苯基,取代或未取代的亚萘基,取代或未取代的亚三联苯基,二价的取代或未取代的包括至少一个O、S、Se、Te、N、Si、或其组合的C3-C30杂环基团,或其组合的两个或更多个的稠环;或其组合。
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