[发明专利]一种陶瓷导电材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种陶瓷导电材料，所述陶瓷导电材料包括陶瓷基体以及形成在所述陶瓷基体表面的功能涂层，其特征在于：所述功能涂层包括由内向外依次设置的高分子导电膜、铜层、银层和银保护层；所述高分子导电膜为聚吡咯衍生物、聚噻吩衍生物和聚苯乙烯磺酸衍生物中的一种或几种的组合；所述铜层的厚度为5μm-10μm；所述银层的厚度为1μm-3μm。

2.权利要求1所述陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于，它包括：

在陶瓷基体上原位生成高分子导电膜：将陶瓷基体依次进行表面调整、氧化和催化处理，得到原位生成高分子导电膜的陶瓷基材；

制备铜层：将原位生成高分子导电膜的陶瓷基材进行电镀铜处理，形成铜层；

在铜层上预镀银层：将镀铜的陶瓷基体，浸入预镀银溶液，得到预镀银的基材；

制备银层：将预镀银后的陶瓷基体进行电镀银处理，形成银层；

退火：将电镀银后的陶瓷基体于惰性气体气氛中进行高温退火处理；

制备银保护层：将退火后的陶瓷基体浸入防银变色剂，经水洗烘干即可。

3.根据权利要求2所述陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于：以原位生成高分子导电膜的陶瓷基体作为阴极、磷铜板作为阳极于电镀液中进行电镀形成铜层，所述电镀的参数为：电流密度2-5A/dm²、温度20-30℃、电镀15-30min。

4.根据权利要求2所述陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于：以预镀银后的陶瓷基体作为阴极、纯银板作为阳极，于20-30℃、电流密度0.1-0.5A/dm²的条件下电镀2-6min。

5.根据权利要求2所述陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于：高温退火是在氩气、温度为850-1000℃的条件下退火0.5-1h。

6.根据权利要求2所述陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于：进行表面调整时，是在含0.2～0.8wt％乙烯基咪唑鎓离子缩聚物和0.05～0.2wt％聚乙烯吡咯烷酮的水溶液中，于45-55℃下浸泡30-60s。

7.根据权利要求2所述陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于：进行氧化处理时，是在含5～15wt％高锰酸钠和0.5～2wt％硼酸钠的水溶液中，于85-90℃下处理1-2min。

8.根据权利要求2所述陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于：进行催化处理时，是在含1-3wt％的噻吩或吡咯类聚合单体、1-3wt％的聚氧乙烯醚磷酸酯类分散剂和2-5wt％磷酸的水溶液中，于常温处理1-3min。

9.一种器件，该器件含有由权利要求1-9任一项所述陶瓷导电材料制成的部件。