[发明专利]应答式或非型闪存数字验证方法、系统、存储介质和终端

说明书

本发明公开了一种应答式或非型闪存数字验证方法、系统、存储介质和终端，预先定义Nor flash存储芯片内数据区域的异常数据对应的异常使能和对应的数据可靠度；向Nor flash存储芯片发送应答信息；根据应答信息对Nor flash存储芯片内的数据区域的异常数据进行对应的可靠度标记；通过正可靠度、负可靠度参量的引入，一方面真实反映模拟电路内部特性，使验证过程更接近存储芯片真实行为，另一方面，存储芯片内部数据bit灵活可控，验证空间更大，验证完备性更高；模拟模型内部减少了宏定义的使用，保证了模拟模型的完整性，提高了模拟模型的可读性、可移植性。

技术领域

本发明涉及一种验证方法，尤其涉及的是一种应答式或非型闪存数字验证方法、系统、存储介质和终端。

背景技术

Nor flash存储芯片的数字验证不同于SOC芯片的验证，前者要考虑模拟电路的特性，充分提取功能点，将模拟电路用数字方法合理表示、合理建模，增加了验证难度。

以存储芯片擦逻辑为例，介绍业内存储芯片逻辑功能的验证方法、手段。先对擦算法流程做简单阐述说明，如图1所示：从数字电路角度看，存储芯片的擦除操作，即为“0”变“1”的过程，存储芯片的编程操作，即为“1”变“0”的过程。存储芯片在接收到用户有效的擦指令后，执行擦除操作，先读擦除区域数据判断是否为全“1”，如果为全“1”，跳过算法擦阶段，对选定区域数据做软编程，完成后再次读擦除区域数据判断是否为全“1”，如果否，执行擦除操作（每次完成此擦除操作，擦除次数计数器加1）、软编程，再读擦除区域数据判断是否为全“1”，重复执行，直到擦除区域数据为全“1”判断通过，如果一直不过，在擦除次数计数器达到设置阈值时，即使读擦除区域数据判断为全“1”不过，也不再执行擦操作，算法进入下一阶段，对当前数据区域所在阵列做增强编程，完成后擦算法结束。以验证功能点“存储芯片擦算法在循环擦除一直不成功，也能安全退出”为例，需要在判断时使每次读到的数据不为全1，以达到循环擦除，算法超时退出的目的。构造判断不过的现有验证手段一般为在存储芯片模拟模型（用数字方式构建，具备模拟电路逻辑功能）读数据的地方设置一段特定代码（业内称为“宏定义”），使读到的数据不为全“1”，此宏定义只在执行特定验证用例仿真时有效，换言之，验证不同异常，需要添加不同宏定义。显而易见，宏定义和验证用例要一一对应，宏定义的作用域有限，每次重新构建宏定义导致工作量增加，同时，模拟模型代码大量宏定义，造成可读性较低，模型出错的风险增加，移植到新项目中，验证用例和相对应的宏定义验证意图需要重新梳理，造成移植性大大降低和时间成本的增加。

另一种常见的构造判断不过的验证手段为在验证用例中，在读擦除区域数据时强制读到非全“1”的数据（业内称为force操作），使判断不过，此方法避免了添加宏定义，但是灵活性更低，在项目移植时，由于模拟模型内部信号的变更，需要重新检查、修改用例，造成移植性不高，更为关键的是，大量使用force操作，验证结果的可信程度降低，大大增加了验证风险。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种应答式或非型闪存数字验证方法、系统、存储介质和终端，引入可靠度参量，真实反映模拟电路内部特性，在有效增加验证结果可靠性的同时，也达到了提升验证灵活性的目的。

本发明的技术方案如下：一种应答式或非型闪存数字验证方法，其中，具体包括以下步骤：

S1：预先定义Nor flash存储芯片内数据区域的异常数据对应的异常使能和对应的数据可靠度；

S2：向Nor flash存储芯片发送应答信息；

S3：根据应答信息对Nor flash存储芯片内的数据区域的异常数据进行对应的可靠度标记。

所述的应答式或非型闪存数字验证方法，其中，所述可靠度包括0和非0可靠度。

所述的应答式或非型闪存数字验证方法，其中，所述非0可靠度由正可靠度和负可靠度组成。