[发明专利]采用伪单元填充图像传感芯片进行首层卷积层处理的方法

权利要求书

1.一种采用填充后图像传感芯片进行首层卷积层处理的方法，其特征在于，包括：

基于填充后图像传感芯片中新的焦平面的大小、首层卷积层中卷积核的个数和首层卷积层中卷积核的大小在所述新的焦平面上周期性的排列所述首层卷积层；

采用新的焦平面对各处理单元中采集的图像的各像素值进行处理，输出对应的特征图；

其中，所述新的焦平面是在填充前图像传感芯片中的原始焦平面的宽度不能整除所述首层卷积层中卷积核的宽度或者所述首层卷积层中卷积核的个数不能整除所述原始焦平面的宽度最多容纳所述卷积核的宽度的个数时对所述原始焦平面的右边和底边填充伪处理单元以达到新的焦平面的大小得到，所述新的焦平面的大小满足其宽度可以整除所述卷积核的宽度且所述卷积核的个数可以整除所述新的焦平面的宽度容纳所述卷积核的宽度的个数，所述伪处理单元仅包括用于保存卷积核权值的寄存器。

2.根据权利要求1所述的采用伪单元填充图像传感芯片进行首层卷积层处理的方法，其特征在于，所述新的焦平面是在原始焦平面的宽度不能整除所述首层卷积层中卷积核的宽度或者所述首层卷积层中卷积核的个数不能整除所述原始焦平面的宽度最多容纳所述卷积核的宽度的个数时对所述原始焦平面的右边和底边填充伪处理单元以达到新的焦平面的大小得到，所述新的焦平面的大小满足其宽度可以整除所述卷积核的宽度且所述卷积核的个数可以整除所述新的焦平面的宽度容纳所述卷积核的宽度的个数，具体包括：

若所述首层卷积层的宽度不超过所述原始焦平面的宽度，则所述新的焦平面通过如下步骤得到：

将所述首层卷积层作为第一块，在所述原始焦平面上左上顶点开始到覆盖到右下顶点结束重复排列所述第一块使得排列后的第一块覆盖所有处理单元；

采用伪处理单元填充所述排列后的块覆盖处无处理单位的区域；

若所述首层卷积层的宽度超过所述原始焦平面的宽度，则所述新的焦平面通过如下步骤得到：

确定第一因数，所述第一因数为所述卷积核的个数的各因数中最小的大于所述原始焦平面的宽度除以所述卷积核的宽度的因数；

将所述首层卷积层排列成宽度为第一因数个卷积核的第二块，在所述原始焦平面上的左上顶点开始到覆盖到右下顶点结束重复排列所述第二块使得排列后的第二块覆盖所有处理单元；

采用伪处理单元填充所述排列后的块覆盖处无处理单位的区域。

3.根据权利要求1所述的采用伪单元填充图像传感芯片进行首层卷积层处理的方法，其特征在于，所述将所述首层卷积层作为第一块，在所述原始焦平面上左上顶点开始到覆盖到右下顶点结束重复排列所述第一块使得排列后的第一块覆盖所有处理单元，具体包括：

若N_a×W_k≤W_i，则在所述原始焦平面右边和底边采用伪处理单元进行填充，使得填充后的新的焦平面的宽度为且填充后的新的焦平面的高度为其中，N_a为所述首层卷积层中卷积核的个数，W_k为所述首层卷积层中卷积核的宽度，W_i为所述原始焦平面的宽度，H_k为所述首层卷积层中卷积核的高度，H_i为所述原始焦平面的高度；

对应地，确定第一因数，所述第一因数为所述卷积核的个数的各因数中最小的大于所述原始焦平面的宽度除以所述卷积核的宽度的因数；将所述首层卷积层排列成宽度为第一因数个卷积核的第二块，在所述原始焦平面上的左上顶点开始到覆盖到右下顶点结束重复排列所述第二块使得排列后的第二块覆盖所有处理单元，具体包括：

若N_a×W_k＞W_i，则在所述原始焦平面右边和底边采用伪处理单元进行填充，使得填充后的新的焦平面的宽度为N_r×W_k且填充后的新的焦平面的高度为其中，其中，N_a为所述首层卷积层中卷积核的个数，W_k为所述首层卷积层中卷积核的宽度，W_i为所述原始焦平面的宽度，H_k为所述首层卷积层中卷积核的高度，H_i为所述原始焦平面的高度。