[发明专利]适用于太阳能电池的硅片的表面处理方法在审
| 申请号: | 202010603123.X | 申请日: | 2020-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN111799339A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
| 发明(设计)人: | 丁建明;袁地春;崔俊虎;崔钟亨 | 申请(专利权)人: | 韩华新能源(启东)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;B23K26/402;B23K26/382;B23K26/362;B23K103/00 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 俞春雷 |
| 地址: | 226200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 适用于 太阳能电池 硅片 表面 处理 方法 | ||
1.一种适用于太阳能电池的硅片的表面处理方法,其特征在于,包括以下步骤:对硅片的表面进行激光处理,所述激光处理用于降低所述硅片表面的反射率;对激光处理后的硅片的正面进行刻蚀,所述刻蚀用于去除激光处理后硅片表面产生的熔融硅。
2.根据权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,所述激光处理为采用激光在硅片的表面形成凹坑,所述激光参数为功率1~200W,频率100~600kHz,速度0.2~2m/s。
3.根据权利要求2所述的表面处理方法,其特征在于,所述硅片的正面包括用于接收光线的接收区以及用于印刷栅线的栅线区,所述凹坑分布在所述接收区内。
4.根据权利要求3所述的表面处理方法,其特征在于,所述凹坑的直径为10~100μm,所述凹坑的深度为1~20μm,相邻所述凹坑之间的距离为0~10μm。
5.根据权利要求4所述的表面处理方法,其特征在于,所述凹坑的直径为20~40μm,所述凹坑的深度为5~15μm,相邻的凹坑之间紧密连接。
6.根据权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,所述刻蚀为采用混合酸溶液进行刻蚀;所述混合酸溶液包括HNO3、HF、H2SO4。
7.根据权利要求6所述的表面处理方法,其特征在于,所述混合酸溶液中HNO3的溶度为500~700g/L,HF的溶度为10~30g/L,H2SO4的浓度为60~80g/L。
8.根据权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,所述表面处理方法还包括在刻蚀后的酸液制绒步骤,所述酸液制绒为采用混合酸制绒液对刻蚀后的硅片进行正面和背面制绒。
9.根据权利要求8所述的表面处理方法,其特征在于,所述混合酸制绒液包括HNO3和HF;所述混合酸制绒液中HNO3的溶度为200~400g/L,HF的溶度为50~70g/L。
10.根据权利要求1-9任意一项所述的表面处理方法,其特征在于,所述表面处理方法还包括在所述酸液制绒之后的扩散步骤,所述扩散步骤用于在所述硅片上形成PN结。
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