[发明专利]一种阵列基板以及显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板以及显示面板，该阵列基板包括：衬底基板；至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管位于衬底基板的一侧；其中，第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅，第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体，第二薄膜晶体管的栅极包括顶栅极和底栅极，顶栅极和底栅极通过过孔连接；第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，且第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极以及顶栅极位于同层。本发明实施例提供的技术方案，通过双栅结构的第二薄膜晶体管，提高了阵列基板上的驱动电路电学性能的稳定性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阵列基板以及显示面板。

背景技术

随着信息技术时代的快速发展，显示面板在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等显示装置中的应用越来越广泛。

现有技术中显示面板中阵列基板上的显示单元的驱动电路包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管。金属氧化物薄膜晶体管以金属氧化物半导体层作为薄膜晶体管的有源层材料，由于其具有载流子迁移率高、沉积温度低以及透明度高等光学特性。低温多晶硅薄膜晶体管开关速度高、又如薄膜电路可以做得更薄更小、功耗更低等优点。但是现有的阵列基板中金属氧化物薄膜晶体管是单栅结构，导致阵列基板上的驱动电路电学性能不稳定。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板以及显示面板，提高了阵列基板上的驱动电路电学性能的稳定性。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板；

至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管位于所述衬底基板的一侧；其中，所述第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体，所述第二薄膜晶体管的栅极包括顶栅极和底栅极，所述顶栅极和所述底栅极通过过孔连接；

所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，且所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述顶栅极位于同层。

该技术方案中，第二薄膜晶体管包括位于不同层的顶栅极和底栅极，即第二薄膜晶体管为双栅结构的薄膜晶体管。通过顶栅极和底栅极同时驱动第二薄膜晶体管的有源层，可以大幅提升薄膜晶体管的载流子迁移率，解决薄膜晶体管的阈值电压漂移问题，达到了提高薄膜晶体管电学性能稳定性的效果。

可选地，还包括：至少一个电容结构，其中，所述电容结构的第一电极与所述第一薄膜晶体管的栅极位于同层，所述电容结构的第二电极与所述底栅极位于同层。

该技术方案在制作薄膜晶体管的同时，制作了电容结构，起到了简化工艺流程，降低成本的效果。

可选地，还包括第一信号走线和第二信号走线；

其中，所述第一信号走线，用于为所述第二薄膜晶体管的栅极提供电信号；

所述第二信号走线用于为所述第二薄膜晶体管的源极和漏极提供电信号；

所述第一信号走线在所述衬底基板的投影和所述第二信号走线在所述衬底基板的投影相交叠的部分位于不同层。

该技术方案中，第一信号走线用于为第二薄膜晶体管的栅极提供电信号，用于控制第二薄膜晶体管的打开或者截止。第二信号走线用于为第二薄膜晶体管的源极和漏极提供电源信号。上述技术方案，第一信号走线在衬底基板10的投影和第二信号走线在衬底基板的投影相交叠的部分位于不同层，可以避免第一信号走线和第二信号走线的电信号之间互相干扰，进而保证了第二薄膜晶体管的正常运行，以保证阵列基板上的驱动电路的电学稳定性。

可选地，所述第一信号走线在所述衬底基板的投影和所述第二信号走线在所述衬底基板的投影互相垂直。