[发明专利]钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 202010601256.3 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111747740B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 方亚林;王之剑;李刚 | 申请(专利权)人: | 安徽容知日新科技股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/472 | 分类号: | C04B35/472;C04B35/622;C04B35/638;C04B41/88 |
代理公司: | 北京思睿峰知识产权代理有限公司 11396 | 代理人: | 谢建云;赵爱军 |
地址: | 230088 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 掺杂 锆钛酸铅基高 性能 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷,其材料具有以下化学通式:Pb0.98Ba0.015Sr0.005(Zr0.52Ti0.48)O3+xwt%Sm2O3,其中0.1≤x≤0.5,wt%表示质量百分比;
其中,所述钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷的制备方法,包括以下步骤:
按照所述化学通式的化学计量比称取Pb2O3、BaCO3、SrCO3、ZrO2、TiO2和Sm2O3,加入去离子水后进行球磨、烘干、过筛、预压、煅烧;
将煅烧后的物料破碎后进行二次球磨、烘干、研磨过筛,得到陶瓷粉体;
将所述陶瓷粉体压制成坯料,并进行排胶、高温烧结、低温氧化后,得到氧化后的陶瓷;以及
将所述氧化后的陶瓷经丝印被银、煅烧、极化后,得到钐离子掺杂锆钛酸铅基压电陶瓷片;
制备方法中各原料的加入顺序为:
先在球磨桶中加入Pb2O3,之后加入BaCO3、SrCO3和Sm2O3,最后加入ZrO2和TiO2。
2.如权利要求1所述的钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷,其中,x=0.1、0.2或者0.4。
3.如权利要求1所述的钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷,其居里温度为350~420℃,压电常数为480~550pC/N,相对介电系数为1720~1850。
4.如权利要求1所述的钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷的制备方法,其中,所述球磨桶中,总原料:玛瑙球:去离子水的重量比为1:1.5:0.8或者1:2:0.6。
5.如权利要求4所述的制备方法,其中,所述加入去离子水后进行球磨烘干、过筛、预压、煅烧的步骤包括:
将所称取的物料球磨6~12h后烘干,将烘干后的粉料研磨过40~60目筛;
将过筛后的粉料进行预压,并将预成型后的块状料在700~900℃下煅烧。
6.如权利要求5所述的制备方法,其中,
球磨机转速为100~150转/min,烘干温度为100~120℃,烘干时间为18~24h,预压压强为0.8~1.5T/cm2,块状料的煅烧时间为1~2h。
7.如权利要求4-6中任一项所述的制备方法,其中,所述将煅烧后的物料破碎后进行二次球磨、烘干、研磨过筛的步骤包括:
将所述煅烧后的物料破碎后过30~50目筛,并进行二次球磨和烘干;
将烘干后的粉料充分研磨后过筛,并加入PVA水溶液后再次研磨过筛,得到所述陶瓷粉体。
8.如权利要求7所述的制备方法,其中,所述PVA水溶液按照粉料总质量3~6%的比例添加,其中PVA水溶液的质量百分比浓度为7-10%。
9.如权利要求8所述的制备方法,其中,将所述陶瓷粉体压制成坯料,并进行排胶、高温烧结、低温氧化的步骤包括:
将所述陶瓷粉体置入模具中压制成型得到坯料,将坯料放入高温炉中升温至600~800℃,保温1~2h后排胶;
将排胶后的坯料放入坩埚中,并在高温炉中按照第一升温速率升温至1180~1260℃后保温1~3h,得到烧成陶瓷;以及
将所述烧成陶瓷冷却后放置到低温炉中,按照第二升温速率升温至700~900℃后保温2~3h,得到氧化后的陶瓷。
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