[发明专利]沟槽栅IGBT器件的制作方法

权利要求书

1.一种沟槽栅IGBT器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成沟槽；

在所述衬底内形成氧化层，所述氧化层覆盖所述沟槽的侧壁和底部；

采用填充及回刻工艺填充所述沟槽N次，形成沟槽栅；N为大于等于2的整数；

形成IGBT器件的基极区、源区、集电区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用填充及回刻工艺填充所述沟槽N次，形成沟槽栅结构，包括：

进行第i次沟槽填充；

进行第i次回刻，回刻厚度为预定厚度，所述预定厚度小于第i次沟槽填充的填充厚度；

令i＝i+1，检测i是否大于N；若检测到i不大于N,则再次执行进行第i次沟槽填充的步骤；若检测到i大于N，则停止填充及回刻工艺；

其中，i的初始值为1，i为整数。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，利用多晶硅填充所述沟槽。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在进行所述填充及回刻工艺时，第i次回刻的回刻厚度为第i次沟槽填充的填充厚度的1/4至1/2。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述沟槽内形成氧化层，包括：

通过热氧化工艺在所述沟槽内形成氧化层，所述氧化层覆盖所述沟槽的侧壁和底部。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供一衬底，在所述衬底上形成沟槽，包括：

提供一衬底，通过光刻工艺定义沟槽图案；

通过刻蚀工艺根据所述沟槽图案刻蚀所述衬底，形成所述沟槽。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成IGBT器件的基极区、源区、集电区，包括：

在所述沟槽栅的两侧形成位于衬底中漂移区内的基极区；

在所述基极区形成源区；

在所述衬底的背面形成集电区。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在衬底的背面形成集电区之前，还包括：

沉积层间介质层，并在所述层间介质层中形成接触孔；

形成正面金属层，引出所述源区和沟槽栅；

在所述衬底的背面形成集电区之后，还包括：

形成背面金属层，引出集电区。