[发明专利]钙钛矿太阳能电池、叠层电池太阳能电池及加工方法、电池组件

权利要求书

1.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括：

钙钛矿吸收层；

空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述钙钛矿吸收层的一侧；

电子传输层，所述电子传输层设置于所述钙钛矿吸收层的另一侧；

致密疏水层，所述致密疏水层位于所述钙钛矿吸收层和所述电子传输层之间，所述致密疏水层采用原子层沉积或者外延生长的方法制备而成，所述致密疏水层的厚度小于或者等于5nm；以及

第一二维钙钛矿层，所述第一二维钙钛矿层位于所述钙钛矿吸收层和所述致密疏水层之间。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述致密疏水层的材料选自：氧化铝、氧化硅中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述致密疏水层的材料的最高占据分子轨道能级的绝对值大于或者等于6.5eV。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述致密疏水层为无针孔结构。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述第一二维钙钛矿层的材料为二维钙钛矿，所述二维钙钛矿中包含有机阳离子，所述有机阳离子选自：丙烯酸正丁酯离子、正丁胺离子、单氟代乙铵离子、甲苯胺离子、苯乙胺离子、胍盐离子中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述第一二维钙钛矿层的厚度为：10-50nm。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池还包括：第二二维钙钛矿层，所述第二二维钙钛矿层位于所述钙钛矿吸收层和所述空穴传输层之间；

所述第二二维钙钛矿层的厚度为：10-50nm。

8.根据权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述第二二维钙钛矿层的材料为二维钙钛矿，所述二维钙钛矿中包含有机阳离子，所述有机阳离子选自：丙烯酸正丁酯离子、正丁胺离子、单氟代乙铵离子、甲苯胺离子、苯乙胺离子、胍盐离子中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池还包括：衬底、导电层以及电极；其中，

所述导电层形成于所述衬底上；

在所述空穴传输层与所述导电层连接的情况下，所述电极与所述电子传输层连接；

在所述电子传输层连接于所述导电层连接的情况下，所述电极与所述空穴传输层连接。

10.一种叠层太阳能电池，其特征在于，包括：依次设置的硅晶电池、隧穿复合结以及权利要求1至9任一项所述的钙钛矿太阳能电池；其中，

所述硅晶电池在远离所述钙钛矿太阳能电池的一侧设置有第一光电辅助层；

所述钙钛矿太阳能电池在远离所述硅晶电池的一侧设置有第二光电辅助层。

11.根据权利要求10所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述硅晶电池包括：

晶硅衬底；

第一非晶硅层，所述第一非晶硅层设置在所述晶硅衬底一侧；以及

第二非晶硅层，所述第二非晶硅层设置在所述晶硅衬底的另一侧，所述第二非晶硅层与所述隧穿复合结连接，所述第二非晶硅层与所述第一非晶硅层的导电类型相反。

12.根据权利要求11所述的叠层太阳能电池，其特征在于，

在所述第二非晶硅层为N型非晶硅层的情况下，所述第二非晶硅层与所述隧穿复合结连接，所述遂穿复合结与所述钙钛矿太阳能电池的空穴传输层连接；

在所述第二非晶硅层为P型非晶硅层的情况下，所述第二非晶硅层与所述隧穿复合结连接，所述遂穿复合结与所述钙钛矿太阳能电池的电子传输层连接。