[发明专利]一种三维图像传感器在审
申请号: | 202010598950.4 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN113848562A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 雷述宇 | 申请(专利权)人: | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
主分类号: | G01S17/894 | 分类号: | G01S17/894;G01S7/4863;G01S7/481;G01S17/10;H01L27/146 |
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地址: | 315500 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三维 图像传感器 | ||
1.一种三维图像传感器,包括:
第一基板,所述第一基板至少包含用于光电转化的光电元件;N个信号传输通路与所述光电单元连接,N大于等于1;
第二基板,包含对应于所述N个传输通路的N个电荷存储单元,所述传输通路接收控制信号,可电性连通将所述光电元件与所述的电荷存储单元,并将所述光电元件内产生的至少部分光生电子转移至所述电荷存储单元。
2.如权利要求1所述的三维图像传感器,其特征在于,所述第一基板还包含与所述光电元件连接的N个传输通路控制部,并形成上游像素区,第二基板还包含与所述上游像素区对应的下游像素区,所述上游像素通过与所述N个信号传输通路对应的N个连接部与所述下游像素的N个所述电荷存储单元直接或者间接连接,所述光电元件产生的光生电子至少部分被转移至所述电荷存储单元。
3.如权利要求1所述的三维图像传感器,其特征在于,所述信号传输通路数量N为2,所述第一基板与所述第二基板通过两个连接部连接,所述2个电荷存储单元通过所述两个连接部接收所述光电元件产生的至少部分光生电荷。
4.如权利要求1所述的三维图像传感器,其特征在于,所述第一基板与所述第二基板的厚度不同。
5.如权利要求1所述的三维图像传感器,其特征在于,所述第一基板与所述第二基板材料和/或制成工艺不同。
6.如权利要求3所述的三维图像传感器,其特征在于,所述第一传输通路和第二传输通路包含晶体管结构,可时分地电性连接所述第一电荷存储单元和第二存储单元,使所述光电元件产生的光生电子至少部分被转移至所述第一电荷存储单元或第二电荷存储单元。
7.如权利要求2所述的三维图像传感器,其特征在于,当所述传输通路数量N大于等于2时,所述任意两个所述接触部中心间距范围为2μm-6μm。
8.如权利要求2所述的三维图像传感器,其特征在于,所述第二基板还包含与所述N个信号传输通路对应的N个转移晶体管,所述转移晶体管布置于所述连接部与所述电荷存储单元之间。
9.如权利要求2所述的三维图像传感器,其特征在于,所述第二基板还包含N个源极跟随器,所述的N个源极跟随器连接至所述的N个电荷存储单元。
10.如权利要求8所述的三维图像传感器,其特征在于,所述第二基板还包含与所述N个源极跟随器连接的N个行选晶体管。
11.如权利要求2所述的三维图像传感器,其特征在于,还包括:像素阵列,在所述像素阵列中多个像素沿第一方向排成行并且沿第二方向排成列,其中通过经由多个所述连接部将所述上游像素区与所述下游像素区连接来形成所述多个像素中的每一个。
12.如权利要求11所述的三维图像传感器,其特征在于,所述第二基板还包含电路驱动部,所述电路驱动部位于所述下游像素区域之外的区域,且所述电路驱动部可产生所述传输通路连通信号,并通过不同于所述上游像素与所述下游像素连接部连接方式的至少一个导通部将所述传输通路连通信号传递至所述第一基板的传输通路。
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